The computed ĪS(r) on the side of t

The computed ĪS(r) on the side of the N-doped BC3NTs are quite different than those of pristine one. Comparison with the ĪS, min of the pristine (6,0) nanotube indicates that surface reactivity of the pristine tube is slightly modified after the nitrogen insertion.What is notable, however, is the significant reduction in ĪS,min of the neighboring atoms in the NC6 and NC8 models. The results reveal that that the nitrogen impurity tends to activate the surface toward electrophilic/radical attack. In the models NC6 and NC8, the value of ĪS,min reduces by a magnitude of 0.3 eV with respect to the pristine tube (Table 2).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ĪS(r) คำนวณด้านข้างของ BC3NTs ที่เจือ N จะค่อนข้างแตกต่างจากที่เก่าแก่แห่งหนึ่ง เปรียบเทียบกับ ĪS นาทีทิวบ์ (6, 0) เก่าแก่แสดงว่า เกิดปฏิกิริยาที่ผิวของหลอดเก่าเป็นแก้ไขเล็กน้อยหลังการแทรกไนโตรเจน โดดเด่น อย่างไรก็ตาม คือ การลดลงใน ĪS นาทีของอะตอมใกล้เคียงในรุ่น NC6 และ NC8 ผลลัพธ์แสดงว่า ไนโตรเจนไม่บริสุทธิ์มีแนวโน้มการ เปิดใช้งานพื้นผิวไปทางโจมตี electrophilic เทียบอนุมูล ในรูปแบบของ NC6 และ NC8, ĪS ค่านาทีลด โดยขนาดของ 0.3 eV เกี่ยวกับหลอดบริสุทธิ์ (ตาราง 2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

คือการคำนวณ (R) ที่ด้านข้างของ BC3NTs N-เจือค่อนข้างแตกต่างกว่าที่เก่าแก่คนหนึ่ง เมื่อเทียบกับที่เป็นนาทีที่บริสุทธิ์ (6,0) นาโนแสดงให้เห็นว่าการเกิดปฏิกิริยาพื้นผิวของหลอดที่เก่าแก่ที่มีการแก้ไขเล็กน้อยหลังจาก insertion.What ไนโตรเจนเป็นเรื่องน่าทึ่งก็คือการลดลงอย่างมีนัยสำคัญคือนาทีของอะตอมที่อยู่ใกล้เคียงใน Nc6 และ NC8 รุ่น ผลการศึกษาพบว่าการปนเปื้อนของไนโตรเจนมีแนวโน้มที่จะเปิดใช้งานบนพื้นผิวที่มีต่อการโจมตี electrophilic / หัวรุนแรง ในรูปแบบ Nc6 และ NC8 ค่าของเป็นที่นาทีลดลงขนาดของ 0.3 eV ที่เกี่ยวกับหลอดที่เก่าแก่ (ตารางที่ 2)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คำนวณĪ S ( R ) ในด้านของ n-doped bc3nts จะค่อนข้างแตกต่างจากที่ หนึ่ง การเปรียบเทียบกับĪ S , มินของบริสุทธิ์ ( 6,0 ) นาโนพบว่าพื้นผิวของท่อซึ่งล้วนเป็นการแก้ไขเล็กน้อยหลังจากที่ไนโตรเจนแทรก อะไรเด่น แต่คือการĪ S , มิน ของอะตอมในรุ่นใกล้เคียง nc6 และ nc8 . ผลการศึกษาพบว่าไนโตรเจนบริสุทธิ์มีแนวโน้มที่จะเปิดผิวรับ / ต่อการโจมตีที่รุนแรง ในรูปแบบ nc6 และ nc8 , ค่าของĪ S , มินลดโดยขนาด 0.3 EV ต่อหลอดล้วน ( ตารางที่ 2 )