Fig. 3. Simulated profiles (cross s

Fig. 3. Simulated profiles (cross sections) of PECVD oxide layers deposited into rotationally symmetric contact holes at different positions on the wafer. The dark red region corresponds to the deposited oxide layer. The left side and the right side show the profiles at the wafer center and at the wafer rim (radial position of 10 cm), respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Fig. 3 ประวัติจำลอง (ข้ามส่วน) ของชั้นออกไซด์ PECVD ฝากลงหลุมติดต่อ rotationally สมมาตรที่ตำแหน่งต่าง ๆ บนแผ่นเวเฟอร์ พื้นที่สีแดงเข้มตรงชั้นออกไซด์นำฝาก ด้านซ้ายและด้านขวาแสดงส่วนกำหนดค่ากลางแผ่นเวเฟอร์ และ ที่ริมแผ่นเวเฟอร์ (รัศมีตำแหน่ง 10 ซม), ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มะเดื่อ. 3. รูปแบบจำลอง (ส่วนข้าม) ของ PECVD ชั้นออกไซด์ฝากลงในหลุมติดต่อสมมาตร rotationally ที่ตำแหน่งที่แตกต่างกันบนแผ่นเวเฟอร์ พื้นที่สีแดงเข้มสอดคล้องกับชั้นออกไซด์ฝาก ด้านซ้ายและด้านขวาแสดงโปรไฟล์ที่ศูนย์เวเฟอร์และที่ขอบเวเฟอร์ (ตำแหน่งรัศมี 10 ซม) ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 3 จำลองโปรไฟล์ ( ข้ามส่วนของชั้นออกไซด์ ) pecvd ฝากเงินเข้า rotationally สมมาตรติดต่อหลุมที่ตำแหน่งต่าง ๆบนเวเฟอร์ พื้นที่สีแดงเข้มตรงกับฝาก ไซด์ชั้น ด้านซ้ายและด้านขวาแสดงโปรไฟล์ที่ศูนย์เวเฟอร์และเวเฟอร์ ริม ( ตำแหน่งรัศมี 10 ซม. ) ตามลำดับ