Random Albacksurfacefield(BSF)p-typ

Random Albacksurfacefield(BSF)p-typeSisolarcellsarepresented,whereastackofAl2O3 and SiNx is
used asrearsurfacepassivationlayercontainingblisters.Itisshownthatnoadditionalcontactopening
step isneeded,sinceduringco-firinglocalAlBSFsareinducedatthelocationoftheseblisters.Thebest
fill factorsandshortcircuitcurrentsareobtainedinthecaseof(i)ahydrophobicpre-passivation
cleaning,sinceitleadstoasmalldensityoflargerblisters,and(ii)10nmofAl2O3, wheretheblistering
size stillincreasesduringfiringthankstoadditionalout-gassing.Thereisanapparentgainin Jscand
Voc of,respectively,1.3mA/cm2 and 5mVforthebestrandomAlBSFcellscomparedtofullAlBSF
referencecells,becauseofbetterrearinternalreflectionandrearsurfacepassivation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สุ่ม Albacksurfacefield (BSF) p typeSisolarcellsarepresented, whereastackofAl2O3 และ SiNxใช้ asrearsurfacepassivationlayercontainingblisters Itisshownthatnoadditionalcontactopeningขั้นตอน isneeded, sinceduringco-firinglocalAlBSFsareinducedatthelocationoftheseblisters.Thebestใส่ factorsandshortcircuitcurrentsareobtainedinthecaseof (i) ahydrophobicpre-passivationทำความสะอาด sinceitleadstoasmalldensityoflargerblisters และ (ii) 10nmofAl2O3, wheretheblisteringขนาด stillincreasesduringfiringthankstoadditionalout gassing Thereisanapparentgainin JscandVoc ของ ตามลำดับ 1.3mA / cm2 และ 5mVforthebestrandomAlBSFcellscomparedtofullAlBSFreferencecells, becauseofbetterrearinternalreflectionandrearsurfacepassivation

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สุ่ม Albacksurfacefield (BSF) P-typeSisolarcellsarepresented, whereastackofAl2O3 และ SiNx จะ
ใช้ asrearsurfacepassivationlayercontainingblisters.Itisshownthatnoadditionalcontactopening
ขั้นตอน isneeded, sinceduringco-firinglocalAlBSFsareinducedatthelocationoftheseblisters.Thebest
กรอก
wheretheblistering
ขนาด stillincreasesduringfiringthankstoadditionalout-gassing.Thereisanapparentgainin Jscand
Voc ของตามลำดับ 1.3mA / cm2 และ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สุ่ม albacksurfacefield ( BSF ) p-typesisolarcellsarepresented whereastackofal2o3 sinx , และจะใช้ขั้นตอน itisshownthatnoadditionalcontactopening

asrearsurfacepassivationlayercontainingblisters . เล sinceduringco , firinglocalalbsfsareinducedatthelocationoftheseblisters สูงสุด
เติม factorsandshortcircuitcurrentsareobtainedinthecaseof ( ฉัน ) ahydrophobicpre แพซซิ
ทำความสะอาดsinceitleadstoasmalldensityoflargerblisters และ ( 2 ) 10nmofal2o3 wheretheblistering
, ขนาด stillincreasesduringfiringthankstoadditionalout-gassing.thereisanapparentgainin jscand
VOC ของตามลำดับ และ 1.3ma/cm2 5mvforthebestrandomalbsfcellscomparedtofullalbsf
referencecells becauseofbetterrearinternalreflectionandrearsurfacepassivation , .