All the diffraction patterns are in

All the diffraction patterns are indexed to the hexagonalwurtzite structure
(JCPDS card, no. 65-3411). The sharp diffraction patterns indicate
that the prepared ZnO nanocrystals are in their high crystallinity. Furthermore,
no other impurity peak patterns were detected with the detection
limit, which supports the idea that the prepared ZnO nanorods
are pure ZnO. In comparisonwith the diffraction patterns fromthe ZnO
seed films in Fig. 8 (a), the (002) diffraction peak at 34.65° is strongly
enhanced in Fig. 8 (b), which is distinct from that of the ZnO substrate
film (a). The result demonstrates that the preferential orientation of
ZnO nanorod growth is c-axis, showing that the ZnO nanorods grow
fastest perpendicular to the substrate surface. Furthermore, the result
is well matched with the corresponding SEM image in the inset.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปแบบการเลี้ยวเบนจะทำดัชนีในโครงสร้าง hexagonalwurtzite(JCPDS บัตร หมายเลข 65-3411) ระบุรูปแบบการเลี้ยวเบนที่คมชัดว่า nanocrystals ZnO ที่เตรียมอยู่ใน crystallinity สูงของพวกเขา นอกจากนี้ไม่มีลายสูงสุดมลทินที่อื่น ๆ พบกับการตรวจพบจำกัด ซึ่งสนับสนุนความคิดที่ nanorods ZnO เตรียมไว้ZnO ที่บริสุทธิ์ได้ ในรูปแบบการเลี้ยวเบนที่จาก ZnO comparisonwithฟิล์มในเมล็ดใน (a) 8 Fig. สูงสุดการเลี้ยวเบน (002) ที่ 34.65° เป็นอย่างยิ่งเพิ่มใน Fig. 8 (b), ซึ่งจะแตกต่างจากที่พื้นผิวของ ZnOหนัง (a) แสดงผลที่ต้องวางเจริญเติบโต nanorod ZnO เป็น c-แกน แสดงว่า ZnO nanorods เติบโตเร็วที่สุดให้เส้นตั้งฉากกับพื้นผิวพื้นผิว นอกจากนี้ ผลดีจะจับคู่กับรูป SEM สอดแทรกใน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทุกรูปแบบการเลี้ยวเบนการจัดทำดัชนีโครงสร้าง hexagonalwurtzite
(บัตร JCPDS ไม่มี. 65-3411) รูปแบบการเลี้ยวเบนคมชัดแสดงให้เห็น
ว่านาโนคริสตัลซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมไว้อยู่ในผลึกสูงของพวกเขา นอกจากนี้
ไม่มีรูปแบบสูงสุดบริสุทธิ์อื่น ๆ ที่ถูกตรวจพบมีการตรวจสอบ
วงเงินที่สนับสนุนความคิดที่ว่าแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์ที่เตรียมไว้
มีซิงค์ออกไซด์บริสุทธิ์ ใน comparisonwith รูปแบบการเลี้ยวเบน fromthe ZnO
ภาพยนตร์เมล็ดในรูป 8 (), (002) เลี้ยวเบนสูงสุดที่ 34.65 °เป็นอย่างยิ่ง
ที่เพิ่มขึ้นในรูป 8 (ข) ซึ่งจะแตกต่างจากที่ของสารตั้งต้นซิงค์ออกไซด์
ภาพยนตร์ (ก) ผลที่ได้แสดงให้เห็นว่าการวางแนวทางให้สิทธิพิเศษของ
การเจริญเติบโตของซิงค์ออกไซด์ nanorod คือ c แกนแสดงให้เห็นว่าแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์เติบโต
เร็วที่สุดในแนวตั้งฉากกับพื้นผิว นอกจากนี้ผลที่ได้
จะถูกจับคู่กันได้ดีกับภาพ SEM ที่สอดคล้องกันในสิ่งที่ใส่เข้าไป

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปแบบทั้งหมดโดยจะจัดทำดัชนีกับโครงสร้าง hexagonalwurtzite
( jcpds บัตร ไม่ 65-3411 ) รูปแบบการเลี้ยวเบน ชาร์ประบุว่าเตรียม nanocrystals
ZnO มีความเป็นผลึกสูง นอกจากนี้
ไม่มีอื่น ๆบริสุทธิ์สูงสุดรูปแบบพบกับการตรวจสอบ
จำกัด ซึ่งสนับสนุนความคิดที่เตรียม nanorods
ZnO บริสุทธิ์เช่นกันในการเปรียบเทียบรูปแบบการเลี้ยวเบนจากเมล็ดในรูปฟิล์ม ZnO
8 ( ) , ( 002 ) โดยสูงสุดที่ 34.65 / ขอ
เพิ่มรูปที่ 8 ( B ) , ซึ่งแตกต่างจากที่ของฟิล์ม ZnO (
( ) ผลแสดงให้เห็นว่าการพิเศษของ
nanorod การเจริญเติบโต c-axis ซิงค์ออกไซด์ , ZnO แสดง ที่เติบโตเร็วที่สุด nanorods
ตั้งฉากกับพื้นผิวพื้นผิวผล
เป็นคู่กันได้ดีกับภาพ SEM ที่สอดคล้องกันในสิ่งที่ใส่เข้าไป