Figure 1. Typical energy ranges for

Figure 1. Typical energy ranges for different PVD processes. PIIID = plasma immersion
ion implantation and deposition; IBAD = ion beam assisted deposition; PLD = pulsed laser
deposition; VAD = vacuum arc deposition; IBA-MBE = ion beam assisted molecular beam
epitaxy; MS = magnetron sputtering; MBE = molecular beam epitaxy.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปที่ 1 ช่วงปกติพลังงานสำหรับกระบวนการ PVD แตกต่างกัน PIIID =พลาสมาแช่
ฤทธิ์ไอออนและสะสม IBAD =ไอออนบีมช่วยสะสม PLD =พัลเลเซอร์
สะสม VAD =ส่วนโค้งดูดสะสม MBE อิบาคานไอออนช่วยแสงโมเลกุล =
epitaxy MS = magnetron สปัตเตอร์ MBE = epitaxy ลำโมเลกุล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

รูปที่ 1. โดยทั่วไปช่วงที่พลังงานสำหรับกระบวนการ PVD ที่แตกต่างกัน PIIID = พลาสมาแช่
ไอออนและสะสม; ibad คาน = ไอออนช่วยสะสม; PLD = พัลเลเซอร์
สะสม; VAD = สูญญากาศโค้งสะสม; IBA-MBE คาน = ไอออนช่วยคานโมเลกุล
epitaxy; MS = แมกสปัตเตอร์; MBE = epitaxy คานโมเลกุล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปที่ 1 โดยทั่วไปพลังงานช่วงกระบวนการ PVD ที่แตกต่างกัน piiid = พลาสมาแช่
ฝังไอออนสะสม ; ibad = ลำแสงไอออนช่วยสะสม ; PLD = แสงเลเซอร์พัลส์
สะสม ; วาด = อาร์กในสุญญากาศการเคลือบ ; iba-mbe = ลำแสงไอออนช่วยสร้างคาน
โมเลกุล ; MS = ตรอนสปัตเตอริง ; MBE = สร้างลำแสงโมเลกุล