The antireflection treatment was rea

The antireflection treatment was realized by a simple spin-coating process, which significantly increased the short-circuit current density and the incident photon-to-electron conversion efficiency to about 90% across the visible range.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การรักษา antireflection ถูกรับรู้ โดยหมุนเคลือบกระบวนการง่าย significantly ซึ่งเพิ่มการลัดวงจร efficiency เหตุการณ์โฟตอนอิเล็กตรอนแปลงประมาณ 90% และความหนาแน่นของกระแสในช่วงที่มองเห็น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

antire ชั้นสะท้อนรักษาได้ตระหนักโดยกระบวนการปั่นเคลือบง่ายซึ่งอย่างมีนัยสำคัญเพิ่มขึ้นลัดวงจรหนาแน่นในปัจจุบันและเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นโฟตอนการแปลงอิเล็กตรอน E FFI ciency ไปประมาณ 90% ในช่วงที่มองเห็นได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การ antire fl ection การตระหนักโดยง่าย ปั่นผ่านกระบวนการชุบ ซึ่ง signi จึงลดลงอย่างมีนัยสําคัญเมื่อเพิ่มความหนาแน่นกระแสลัดวงจรและโฟตอนอิเล็กตรอนที่เกิดขึ้นเพื่อแปลง E ffiประสิทธิภาพประมาณ 90% ในช่วงที่มองเห็นได้