The effects of humidity on the elec

The effects of humidity on the electronic properties of mono- and bi-layer graphene prepared by chemical vapour deposition and transferred on SiO2 are investigated via simultaneous global transport and local work function measurements using the van der Pauw method and Kelvin probe force microscopy, respectively. It is found that mono-layer graphene on SiO2 is extremely sensitive to water vapour, with water molecules acting as physisorbed loosely bound p-dopants. In the case of a bi-layer stack, produced by double transfer of two graphene layers, the layers are randomly oriented and decoupled with respect to each other. As a consequence, the bottom layer of the bi-layer stack is mostly affected by substrate charges, while the top graphene layer behaves as a decoupled layer, which is externally doped by the water vapour. Moreover, we provide evidence that ambient humidity is only partly responsible for the p-doping of graphene. These findings will assist in the development of reliable graphene-based electronics such as sensors working in ambient air.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีการตรวจสอบผลกระทบของความชื้นในคุณสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของ graphene โมโน และสองชั้นโดยสะสมไอสารเคมี และโอนย้ายบน SiO2 ผ่านขนส่งทั่วโลกพร้อมกันและฟังก์ชันการทำงานภายในวัดโดยใช้วิธี van der Pauw และรบเคลวินทำให้ไมโครสโค ตามลำดับ มันถูกพบว่า โมโนเลเยอร์ graphene บน SiO2 เป็นมีความสำคัญมากกับไอน้ำ น้ำ โมเลกุลที่ทำหน้าที่เป็น physisorbed หลวม ๆ ผูก p dopants ในกรณีที่กองซ้อนสองชั้น ผลิต โดยโอนคู่สอง graphene ชั้น ชั้นสุ่มเชิง และ decoupled เกี่ยวกับแต่ละอื่น ๆ เป็นผล ชั้นล่างของกองซ้อนสองชั้นเป็นส่วนใหญ่ผลกระทบ โดยค่าธรรมเนียมพื้นผิว ในขณะที่ทำงานของเลเยอร์บนสุด graphene เป็นเลเยอร์ decoupled ซึ่งภายนอกได้เจือ ด้วยไอน้ำ นอกจากนี้ เราสามารถให้แสดงว่า ความชื้นแวดล้อมเท่านั้นรับผิดชอบบางส่วน p-ยาสลบของ graphene ผลการวิจัยเหล่านี้จะช่วยในการพัฒนาอิเล็กทรอนิกส์ใช้ graphene ที่เชื่อถือได้เช่นเซ็นเซอร์ที่ทำงานในอากาศแวดล้อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลของความชื้นต่อคุณสมบัติอิเล็กทรอนิกส์ของขาวดำและ Graphene สองชั้นที่จัดทำโดยไอสารเคมีสะสมและโอน SiO2 จะถูกตรวจสอบผ่านทางขนส่งพร้อมกันทั่วโลกและการวัดฟังก์ชั่นการทำงานในท้องถิ่นโดยใช้วิธี van der พอลเคลวินและแรงสอบสวนกล้องจุลทรรศน์ตามลำดับ นอกจากนี้ยังพบว่าโมโนแกรฟีนชั้นบน SiO2 เป็นอย่างมากที่มีความไวต่อไอน้ำที่มีโมเลกุลของน้ำทำหน้าที่เป็น physisorbed ผูกไว้อย่างหลวม ๆ P-สารเจือ ในกรณีของสแต็คสองชั้นที่ผลิตโดยการโอนเงินคู่ของทั้งสอง graphene ชั้นที่ชั้นจะเน้นแบบสุ่มและหลุดพ้นด้วยความเคารพซึ่งกันและกัน เป็นผลให้ที่ชั้นล่างของสแต็คสองชั้นได้รับผลกระทบโดยส่วนใหญ่เป็นค่าใช้จ่ายสารตั้งต้นในขณะที่ชั้น graphene ด้านบนมีลักษณะการทำงานเป็นชั้น decoupled ซึ่งเป็นเจือภายนอกโดยไอน้ำ นอกจากนี้เรายังแสดงหลักฐานว่าความชื้นโดยรอบเป็นเพียงส่วนรับผิดชอบต่อการ P-ยาสลบของแกรฟีน การค้นพบนี้จะช่วยในการพัฒนาของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ graphene ตามที่เชื่อถือได้เช่นเซ็นเซอร์ทำงานในอากาศแวดล้อม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ผลของความชื้นต่อสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์ของโมโน - และบีชั้น graphene เตรียมสะสมไอเคมีและย้ายบน SiO2 ตรวจสอบพร้อมกันทั่วโลกผ่านทางขนส่งและท้องถิ่นงานฟังก์ชั่นการวัดโดยใช้วิธีแวนเดอร์เพาว์ และ เควินด้วยกล้องจุลทรรศน์แรงตามลำดับ พบว่า กราฟีนชั้นโมโนบน SiO2 เป็นอย่างมากที่ไวต่อการระเหยน้ำที่มีโมเลกุลของน้ำแสดง physisorbed หลวมๆผูกไว้ p-dopants . ในกรณีของบีเลเยอร์กองผลิตโดยโอนคู่สองกราฟีน ชั้น ชั้นวางแบบสุ่มและมีความเคารพซึ่งกันและกัน ผลที่ตามมา , ชั้นล่างของบีเลเยอร์ซ้อนเป็นส่วนใหญ่ได้รับผลกระทบจากค่าใช้จ่ายตั้งต้น ในขณะที่ชั้นด้านบนของกราฟีนเป็นแบบเลเยอร์ ซึ่งภายนอกเจือด้วยน้ำ ไอน้ำ นอกจากนี้ เรามีหลักฐานว่าอุณหภูมิความชื้นเป็นเพียงบางส่วนรับผิดชอบต่อ p-doping ของกราฟีน . ข้อมูลเหล่านี้จะช่วยในการพัฒนาของกราฟีนที่เชื่อถือได้ใช้ Electronics เช่นเซ็นเซอร์ทำงานในอากาศ .