New growth techniques In the 1970s,

New growth techniques
In the 1970s, new crystal growth techniques, MBE (Molecular Beam Epitaxy) [23] and MOVPE (Metalorganic Vapour Phase Epitaxy) [24] were developed. Efforts were made to adapt these techniques for growing GaN [25]. Isamu Akasaki began studying GaN as early as 1974, at the time working at the Matsushita Research Institute in Tokyo. In 1981, he took up a professorship at Nagoya University and continued his research on GaN, together with Hiroshi Amano and other co-workers. It would take until 1986 before GaN with high crystal quality and good optical properties could be produced with the MOVPE technique [26].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคการเจริญเติบโตใหม่ ในทศวรรษ 1970 มีพัฒนาเทคนิคเติบโตคริสตัลใหม่ MBE (โมเลกุลคาน Epitaxy) [23] และ MOVPE (Metalorganic Vapour ระยะ Epitaxy) [24] ความพยายามที่ได้ทำการปรับเทคนิคเหล่านี้สำหรับปลูกกัน [25] Isamu Akasaki เริ่มเรียนกันตั้งแต่ที่ 1974 เวลาทำงานที่ สถาบันวิจัย Matsushita ในโตเกียว ในปี 1981 เขาเอาค่า professorship ที่นาโกย่า และต่องานวิจัยของเขาในย่าน กับ Hiroshi อะมะโนะและเพื่อนร่วมงานอื่น ๆ มันจะใช้เวลาจนถึงปี 1986 ก่อนกันกับคริสตัลสูงคุณภาพ และสามารถผลิตคุณสมบัติดีแสง ด้วยเทคนิค MOVPE [26]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคนิคการเจริญเติบโตใหม่
ในปี 1970 เทคนิคการเจริญเติบโตของผลึกใหม่ MBE (Molecular Beam epitaxy) [23] และ MOVPE (Metalorganic ไอเฟส epitaxy) [24] ได้รับการพัฒนา ความพยายามที่จะปรับตัวเทคนิคเหล่านี้สำหรับการปลูกกัน [25] อิซามุ Akasaki เริ่มเรียนกันเป็นช่วงต้นปี 1974 ในช่วงเวลาทำงานที่ Matsushita สถาบันวิจัยในโตเกียว ในปี 1981 เขาเอาขึ้นตำแหน่งศาสตราจารย์ที่มหาวิทยาลัยนาโกย่าและยังคงวิจัยของเขาในกานร่วมกับฮิโรชิมาโนะและเพื่อนร่วมงานอื่น ๆ มันจะใช้เวลาจนถึง 1986 ก่อนที่จะมีคุณภาพกานคริสตัลสูงและคุณสมบัติทางแสงที่ดีจะได้รับการผลิตด้วยเทคนิค MOVPE [26]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การพัฒนาเทคนิคใหม่ในปี 1970 , เทคนิคการเติบโตของผลึกใหม่ , MBE ( สร้างลำแสงโมเลกุล ) [ 23 ] และ movpe ( metalorganic ไอเฟสเอพิแทกซี ) [ 24 ] ได้รับการพัฒนา ความพยายามที่ทำเพื่อปรับให้เข้ากับเทคนิคเหล่านี้สำหรับการปลูกกัน [ 25 ] ซามุ akasaki เริ่มศึกษากานเร็ว 1974 ในเวลาทำงานที่สถาบันวิจัย มัตสึชิตะ ในโตเกียว ในปี 1981 ,เขาเอาขึ้นเป็นศาสตราจารย์ที่มหาวิทยาลัยนาโกย่า และวิจัยอย่างต่อเนื่องของเขาในกานพร้อมกับฮิโรชิ Amano และเพื่อนร่วมงานอื่น ๆ มันต้องใช้เวลาจนกระทั่ง 1986 ก่อนที่กานด้วยคริสตัลคุณภาพสูงและคุณสมบัติของแสงที่ดีสามารถผลิตด้วยเทคนิค movpe
[ 26 ]