Kurt Lehovec of Sprague Electric Co

Kurt Lehovec of Sprague Electric Company invented a way to electrically isolate components on a semiconductor crystal. Robert Noyce of Fairchild Semiconductor invented a way to connect the IC components (aluminium metallization) and proposed an improved version of insulation based on the planar technology by Jean Hoerni. On September 27, 1960, using the ideas of Noyce and Hoerni, a group of Jay Last's at Fairchild Semiconductor created the first operational semiconductor IC. Texas Instruments, which held the patent for Kilby's invention, started a patent war, which was settled in 1966 by the agreement on cross-licensing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Kurt Lehovec ของ Sprague ไฟฟ้า บริษัทคิดค้นวิธีการแยกส่วนประกอบของผลึกสารกึ่งตัวนำไฟฟ้า โรเบิร์ตนอยซ์ของ Fairchild สารกึ่งตัวนำคิดค้นวิธีเชื่อมต่อคอมโพเนนต์ IC (อะลูมิเนียม metallization) และเสนอปรับปรุงเป็นรุ่นของฉนวนตามเทคโนโลยีระนาบ โดย Jean Hoerni 27 กันยายน 1960 ใช้ความคิดของนอยซ์และ Hoerni กลุ่มของเจย์ล่าสุดของ Fairchild สารกึ่งตัวนำที่สร้างที่แรกปฏิบัติสารกึ่งตัวนำ IC เครื่องมือเท็กซัส การจัดสิทธิบัตรสำหรับการประดิษฐ์ของ Kilby เริ่มต้นสงครามสิทธิบัตร ซึ่งชำระเป็นตามข้อตกลงในการอนุญาตให้ใช้สิทธิ์ข้าม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เคิร์ต Lehovec ของปราก บริษัท ไฟฟ้าคิดค้นวิธีที่จะแยกชิ้นส่วนไฟฟ้าที่คริสตัลเซมิคอนดักเตอร์ โรเบิร์ต Noyce ของ Fairchild Semiconductor คิดค้นวิธีการเชื่อมต่อชิ้นส่วน IC (อลูมิเนียม metallization) และนำเสนอรุ่นปรับปรุงของฉนวนกันความร้อนบนพื้นฐานของเทคโนโลยีภาพถ่ายโดยฌององ hoerni เมื่อวันที่ 27 กันยายน 1960 โดยใช้ความคิดของ Noyce และอง hoerni กลุ่มของ Jay ล่าสุดที่ Fairchild Semiconductor สร้าง IC เซมิคอนดักเตอร์เป็นครั้งแรกในการดำเนินงาน Texas Instruments ซึ่งถือสิทธิบัตรสำหรับการประดิษฐ์ของนิวบรันเริ่มสงครามสิทธิบัตรซึ่งได้รับการตัดสินในปี 1966 โดยข้อตกลงในการข้ามออกใบอนุญาต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เคิร์ท lehovec ของ Sprague ไฟฟ้าบริษัทคิดค้นวิธีการไฟฟ้าแยกองค์ประกอบในสารกึ่งตัวนำผลึก . โรเบิร์ต นอยซ์ของแฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์คิดค้นวิธีที่จะเชื่อมต่อชิ้นส่วน IC ( งานอลูมิเนียม ) และเสนอรุ่นปรับปรุงของฉนวนที่ใช้เทคโนโลยีระนาบโดย Jean hoerni . เมื่อวันที่ 27 กันยายน 1960 , การใช้ความคิด และ hoerni นอยส์ ,กลุ่ม เจ เมื่ออยู่ที่แฟร์ไชลด์เซมิคอนดักเตอร์สร้างสารกึ่งตัวนำปฏิบัติการแรก IC Texas Instruments ซึ่งจัดขึ้นสิทธิบัตรการประดิษฐ์ คิลบีก็เริ่มสงครามสิทธิบัตร ซึ่งก่อตั้งในปี 1966 โดยข้อตกลงใบอนุญาตข้าม