Show that substitution of an arseni

Show that substitution of an arsenic atom with 5 valence electron for a silicon atom with it's 4 valence electron in the donor layer gives a site with an excess of 1 electron, whereas substitution of a boron atom with only 3 electron for a silicon atom in the acceptor layer give a site "hole" that is deficient in 1 electron. The surface of a donor layer in contact with an acceptor layer contains electrons that are attracted to the acceptor layer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แสดงว่า แทนที่ของอะตอมสารหนูมี 5 เวเลนซ์อิเล็กตรอนในอะตอมซิลิคอนกับมัน 4 เวเลนซ์อิเล็กตรอนในชั้นผู้บริจาคให้เว็บไซต์ที่ มีมากเกิน 1 อิเล็กตรอน ในขณะที่ให้ทดแทนของอะตอมโบรอนมีเพียง 3 อิเล็กตรอนในอะตอมซิลิคอนในชั้น acceptor ไซต์ "หลุม" นั่นคือไม่ 1 อิเล็กตรอน พื้นผิวของชั้นบริจาคติดต่อ acceptor ชั้นที่ประกอบด้วยอิเล็กตรอนที่ดึงดูดชั้น acceptor

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

แสดงทดแทนของอะตอมสารหนูที่มีเวเลนซ์อิเล็กตรอน 5 อะตอมซิลิกอนพร้อมด้วยเวเลนซ์อิเล็กตรอน 4 ในชั้นบริจาคให้เว็บไซต์ที่มีส่วนที่เกิน 1 อิเล็กตรอนในขณะที่การทดแทนของอะตอมโบรอนมีเพียง 3 อิเล็กตรอนสำหรับอะตอมซิลิกอนใน ชั้นใบเสร็จให้เว็บไซต์ "หลุม" ที่ขาดอิเล็กตรอน 1 พื้นผิวของชั้นผู้บริจาคในการติดต่อกับชั้นใบเสร็จมีอิเล็กตรอนที่จะดึงดูดให้ชั้นใบเสร็จ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แสดงให้เห็นว่าการแทนที่ของอะตอมสารหนูกับ 5 เวเลนซ์อิเล็กตรอนเป็นอะตอมซิลิคอนกับมัน 4 พระเจ้าซาร์ในผู้บริจาคชั้นให้เว็บไซต์มีเกิน 1 อิเล็กตรอน ในขณะที่การแทนที่ของอะตอมโบรอนที่มีเพียง 3 อิเล็กตรอนในซิลิคอนอะตอมในพระนาสิกชั้นให้เว็บไซต์ " รู " ที่ขาด 1 อิเล็กตรอนพื้นผิวของอวัยวะชั้นในติดต่อกับพระนาสิกชั้นประกอบด้วยอิเล็กตรอนที่ถูกดึงดูดไปยังพระนาสิกชั้น