The ZnO (0002)plane has epitaxial p

The ZnO (0002)
plane has epitaxial planer relation with sapphire along
four particular directions, which includes one (0001)
and three (10¯14) sapphire directions with a rotation
of 120◦ to one another to reduce the in-plane lattice
mismatch[27]. Thus, in addition to the vertical alignment,
the growth of ZnO nanorods can incline to the
sapphire substrate due to their in-plane compatibility
(Fig. 9(b)).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO (0002)เครื่องบินมีความสัมพันธ์ epitaxial คัลกับแซฟไฟร์พร้อมทิศทางเฉพาะสี่ ที่หนึ่ง (0001)และแซฟไฟร์ (10¯14) 3 ทิศทางกับการหมุนเวียนของ 120◦ อื่นลดโครงตาข่ายประกอบในเครื่องบินไม่ตรงกัน [27] นอกจากแนว ดังนั้นการเติบโตของ ZnO nanorods สามารถเอียงไปพื้นผิวแซฟไฟร์เนื่องจากความเข้ากันได้ในเครื่องบินของพวกเขา(Fig. 9(b))

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์ (0002)
เครื่องบินมีความสัมพันธ์กบ epitaxial
กับไพลินพร้อมสี่ทิศทางโดยเฉพาะอย่างยิ่งซึ่งรวมถึงหนึ่ง(0001)
และสาม (1014)
ทิศทางไพลินกับการหมุนของ120◦กับอีกคนหนึ่งที่จะลดในระนาบตาข่ายไม่ตรงกัน
[ 27] ดังนั้นนอกเหนือไปจากแนวตั้ง, การเจริญเติบโตของแท่งนาโนซิงค์ออกไซด์สามารถเอียงไปยังพื้นผิวไพลินเนื่องจากการเข้ากันได้ของพวกเขาในระนาบ(รูปที่ 9. (ข))

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การซิงค์ออกไซด์ ( 0002 )
epitaxial กบเครื่องบินมีความสัมพันธ์กับพลอยตาม
4 โดยเฉพาะเส้นทางซึ่งรวมถึงหนึ่ง ( 0001 )
3 ( 10 ¯ 14 ) ส่องทิศทางกับการหมุน
120 ◦อีกคนหนึ่งเพื่อที่จะลดในแลตทิซ
ไม่ตรงกัน [ 27 ] ดังนั้น นอกจากการจัดตำแหน่งแนวตั้ง
การเจริญเติบโตของ ZnO nanorods สามารถเอียง
แซฟไฟร์ ( เนื่องจากของพวกเขาในความเข้ากันได้
( ฟิค9 ( b ) )