MoO3 thin Films were prepared using

MoO3 thin Films were prepared using the assisted laser evaporation technique. Samples were grown on glass
and silicon substrates at different substrates temperatures. The effect on structural and optical properties of
the substrate and on annealing temperatures was evaluated. A phase transition was found around 200 °C in all
samples from the amorphous to the β phase with a small percentage of α phase, and another one was found
around 500 °C from the α+β to the α phase. The percentage errors between the lattice parameter a0 of the
crystallographic index card for the MoO3 alpha phase and the indexed lattice parameters were 1.4% and 0.3%
for the samples deposited on glass and silicon respectively, indicating the crystalline structure of the silicon
substrate favors the formation of the MoO3 alpha orthorhombic phase. The spectral variation of the refractive
index and the absorption coefficient were theoretically determined. The amorphous samples presented a
constant gap of 3.2 eV while the optical properties critically depended on the substrate and annealing
temperatures.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

MoO3 ที่ฟิล์มบางที่เตรียมโดยใช้เทคนิคระเหยเลเซอร์ช่วย ตัวอย่างนำมาปลูกในแก้วและพื้นผิวซิลิกอนที่อุณหภูมิพื้นผิวต่าง ๆ คุณสมบัติของแสง และโครงสร้างของผลกับพื้นผิว และในอุณหภูมิการอบเหนียวถูกประเมิน พบประมาณ 200 ° C อยู่ในช่วงระยะตัวอย่างจากการไปที่เฟสβกับเล็กเปอร์เซ็นต์ของระยะด้วยกองทัพ และอีกหนึ่งพบระยะประมาณ 500 ° C จากด้วยกองทัพ + βไปด้วยกองทัพ เปอร์เซ็นต์ข้อผิดพลาดระหว่าง a0 พารามิเตอร์โครงตาข่ายประกอบของการบัตรดัชนี crystallographic MoO3 อัลฟาเฟสและโครงตาข่ายประกอบดัชนีพารามิเตอร์ได้ 1.4% และ 0.3%ตัวอย่างฝากแก้วและซิลิกอนตามลำดับ เพื่อแสดงโครงสร้างผลึกของซิลิคอนพื้นผิวสนับสนุนการก่อตัวของเฟส orthorhombic อัลฟา MoO3 เปลี่ยนแปลงสเปกตรัมของการหักเหดัชนีและค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมถูกกำหนดตามหลักวิชา ตัวอย่างไปเสนอเป็นคงช่องว่างของ 3.2 eV ในขณะที่คุณสมบัติของแสงเหลือขึ้นอยู่กับกับพื้นผิว และหลอมอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

หมู่ 3 ฟิล์มบาง ๆ ที่ถูกจัดทำขึ้นโดยใช้เทคนิคการระเหยเลเซอร์ช่วย ตัวอย่างที่ปลูกบนกระจกพื้นผิวและซิลิกอนที่อุณหภูมิพื้นผิวที่แตกต่างกัน
ผลกระทบต่อโครงสร้างและคุณสมบัติทางแสงของพื้นผิวและอุณหภูมิอบอ่อนถูกประเมิน
ช่วงหัวเลี้ยวหัวต่อก็พบว่าประมาณ 200
องศาเซลเซียสในทุกตัวอย่างจากอสัณฐานกับเฟสβกับร้อยละขนาดเล็กเฟสαและอีกคนหนึ่งถูกพบประมาณ
500 องศาเซลเซียสจากα + βกับเฟสα ข้อผิดพลาดร้อยละระหว่างพารามิเตอร์ตาข่าย a0
ของบัตรดัชนีcrystallographic ในเฟสอัลฟาหมู่ 3 และพารามิเตอร์ตาข่ายจัดทำดัชนีเป็น 1.4% และ 0.3%
สำหรับกลุ่มตัวอย่างที่ฝากบนกระจกและซิลิกอนตามลำดับแสดงให้เห็นโครงสร้างผลึกซิลิคอนตั้งต้นบุญสร้าง
ของเฟสหมู่ 3 อัลฟา orthorhombic รูปแบบสเปกตรัมของการหักเหของแสงดัชนีและค่าสัมประสิทธิ์การดูดซึมได้รับการพิจารณาในทางทฤษฎี
กลุ่มตัวอย่างสัณฐานนำเสนอช่องว่างคงที่ 3.2 eV ในขณะที่คุณสมบัติทางแสงขึ้นอย่างยิ่งบนพื้นผิวและการหลอมอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

หมู่ 3 บางภาพยนตร์ที่เตรียมโดยใช้เลเซอร์ช่วยการระเหยเทคนิค จำนวนที่ปลูกบนกระจกและพื้นผิวพื้นผิวซิลิกอน
ที่อุณหภูมิแตกต่างกัน ผลกระทบต่อโครงสร้างและสมบัติทางแสงของพื้นผิวและอุณหภูมิอบ
ถูกประเมิน ขั้นตอนการเปลี่ยนแปลง พบประมาณ 200 องศา C
ทั้งหมดตัวอย่างจากสัณฐานกับเฟสบีตาด้วยเปอร์เซ็นต์ขนาดเล็กของเฟสα และอีกหนึ่ง พบ
ประมาณ 500 ° C จากบีตาαกับαเฟส เปอร์เซ็นต์ความคลาดเคลื่อนระหว่างแลตทิซพารามิเตอร์ A0 ของ
บัตรดัชนีทางสำหรับหมู่ 3 เฟสอัลฟาและดัชนีแลตทิซพารามิเตอร์ถูก 1.4% และ 0.3 %
สำหรับตัวอย่างที่ฝากไว้บนกระจกและซิลิคอน ตามลำดับแสดงโครงสร้างของผลึกของซิลิคอน
( โปรดปรานการก่อตัวของหมู่ 3 อัลฟาออร์โทรอมบิกเฟส การเปลี่ยนแปลงของสเปกตรัมของดัชนีการหักเห
และมีค่าสัมประสิทธิ์การดูดกลืนแสงมีทฤษฎีว่า ตัวอย่างไปเสนอช่องว่าง
คงที่ของ 3.2 วีในขณะที่คุณสมบัติแสงวิกฤตขึ้นอยู่กับตั้งต้นและอุณหภูมิการอบ
.