Ever though III–V solar cells have

Ever though III–V solar cells have demonstrated superior performance,
but production of low cost high efficiency III–V solar
cells is still challenge due to expensive materials cost including
Au-based and Ag-based contact metallurgy. Substituting costly
Au-based or Ag-based contacts and interconnects with low-cost
Cu-based systems are being considered. However, the Cu-based
contacts to III–V material face severe issue of rapid Cu diffusion
into the material and formation of deep acceptor levels [1–3].
In our previous study, we proposed an approach for Cu-based
contacts on GaAs and Ge substrate [4,5]. By using a diffusion barrier
at the bottom of the device and a passivation layer at the top
to prevent diffusion and oxidation, we can fabricate the ohmic contacts
with specific contact resistances in the range of 10
6 O cm2.
However, reliability of such contacts and the solar cells using these
contacts need to be established as it is extremely important for
practical applications.
We report here the electrical and thermal stability of the n-type
and p-type Cu-based contacts after subjecting them to periodic
heat treatment and high current stress process. Furthermore, the
reliability of III–V concentration solar cells adopting these low contacts
is demonstrated to show their practicability.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เคยแต่ เซลล์แสงอาทิตย์ III – V ได้แสดงประสิทธิภาพแต่การผลิตต้นทุนต่ำประสิทธิภาพสูง III – V พลังงานแสงอาทิตย์เซลล์ยังคงเป็นความท้าทายเนื่องจากวัสดุราคาแพงต้นทุนรวมตาม Ag และ Au ตามติดต่อวิศวกรรมโลหการ แทนค่าใช้จ่ายใช้ Ag หรือ Au ใช้ติดต่อ และเชื่อมโยงกับต้นทุนต่ำมา Cu จะถูกพิจารณา อย่างไรก็ตาม การ Cu-ตามผู้ติดต่อ III – V วัสดุเผชิญปัญหารุนแรงของ Cu แพร่อย่างรวดเร็ววัสดุและการก่อตัวของ acceptor ลึกระดับ [1-3]ในการศึกษาก่อนหน้านี้ของเรา เราได้เสนอวิธีการสำหรับใช้ Cuติดต่อบน GaAs และ Ge พื้นผิว [4,5] โดยอุปสรรคแพร่ที่ด้านล่างของอุปกรณ์และชั้น passivation ที่ด้านบนเพื่อป้องกันการแพร่และออกซิเดชัน เราสามารถปั้นติดต่อแบบโอห์มมิคด้วยทานติดต่อเฉพาะในช่วงของ 10 6 O cm2อย่างไรก็ตาม ความน่าเชื่อถือเช่นผู้ติดต่อและเซลล์แสงอาทิตย์ที่ใช้เหล่านี้ต้องสร้างมันเป็นสิ่งสำคัญมากสำหรับผู้ติดต่อประยุกต์ใช้งานจริงเรานี่รายงานเสถียรภาพไฟฟ้า และความร้อนชนิด nชนิด p ใช้ Cu ติดต่อหลังจากมีชัยเป็นครั้งคราวรักษาความร้อนและกระบวนการความเครียดปัจจุบันสูง นอกจากนี้ การความน่าเชื่อถือของเซลล์แสงอาทิตย์ความเข้มข้น III – V ใช้ติดต่อเหล่านี้ต่ำแสดงการแสดงของพวกเขายาว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เคย แต่ III-V เซลล์แสงอาทิตย์ได้แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพที่เหนือกว่า
แต่การผลิตต้นทุนต่ำที่มีประสิทธิภาพสูง III-V
แสงอาทิตย์เซลล์ยังคงท้าทายอันเนื่องมาจากวัสดุที่มีราคาแพงรวมทั้งค่าใช้จ่าย
Au-based และโลหะการติดต่อ Ag-based ค่าใช้จ่ายแทน
Au-based หรือรายชื่อ Ag-based
และการเชื่อมต่อที่มีต้นทุนต่ำระบบCu ตามที่มีการพิจารณา อย่างไรก็ตามลูกบาศ์กตามรายชื่อที่จะ III-V ปัญหารุนแรงใบหน้าวัสดุของการแพร่กระจายอย่างรวดเร็ว Cu ลงในวัสดุและการก่อตัวของระดับใบเสร็จลึก [1-3]. ในการศึกษาก่อนหน้านี้ของเราที่เรานำเสนอวิธีการสำหรับ Cu-ตามที่รายชื่อในGaAs และพื้นผิว Ge [4,5] โดยใช้กั้นการแพร่กระจายที่ด้านล่างของอุปกรณ์และชั้นฟิล์มที่ด้านบนเพื่อป้องกันการแพร่กระจายและการเกิดออกซิเดชันเราสามารถสร้างรายชื่อโอห์มมิกที่มีความต้านทานติดต่อเฉพาะในช่วง10? 6 O cm2. แต่ความน่าเชื่อถือของรายชื่อดังกล่าว และเซลล์แสงอาทิตย์ใช้เหล่านี้รายชื่อจะต้องมีการจัดตั้งขึ้นในขณะที่มันเป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานจริง. เรารายงานที่นี่ไฟฟ้าและเสถียรภาพทางความร้อนของ n-ประเภทและชนิดพีรายชื่อCu ตามหลังหนอนบ่อนไส้ให้พวกเขาเป็นระยะ ๆการรักษาความร้อนสูง กระบวนการความเครียดในปัจจุบัน นอกจากนี้ความน่าเชื่อถือของความเข้มข้น III-V เซลล์แสงอาทิตย์การนำรายชื่อต่ำเหล่านี้จะแสดงให้เห็นในการแสดงของพวกเขาปฏิบัติ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เคยแต่ 3 – 5 เซลล์แสงอาทิตย์ได้แสดงให้เห็นถึงประสิทธิภาพที่เหนือกว่า
แต่การผลิตต้นทุนต่ำประสิทธิภาพสูง 3 – 5 เซลล์แสงอาทิตย์
ยังคงท้าทายเนื่องจากต้นทุนราคาแพงวัสดุรวมทั้ง
Au ใช้ AG ใช้ติดต่อ โลหะวิทยา แทนแพง
AU ตาม หรือใช้ติดต่อและเชื่อมกับ Cu Ag ต้นทุนต่ำ
ตามระบบที่ถูกพิจารณา อย่างไรก็ตาม จาก
จุฬาฯติดต่อ 3 – 5 วัสดุหน้ารุนแรงปัญหาของการแพร่กระจายอย่างรวดเร็ว ซียู
เป็นวัสดุและรูปแบบของระดับพระนาสิกลึก [ 1 – 3 ] .
ในการศึกษาของเรา เราเสนอแนวทางจุฬาฯใช้ติดต่อบนพื้นผิวและ GE
6 [ 4 , 5 ] โดยใช้การแพร่กระจายอุปสรรค
ที่ด้านล่างของอุปกรณ์ และ รุ้ง เลเยอร์ด้านบน
เพื่อป้องกันการแพร่กระจายและการออกซิเดชัน เราสามารถแปลงค่า
ติดต่อกับความต้านทานติดต่อเฉพาะในช่วง 10
6 O CM2 .
แต่ความน่าเชื่อถือของรายชื่อและเซลล์แสงอาทิตย์โดยใช้การติดต่อเหล่านี้
ต้องก่อตั้งขึ้นมันเป็นสิ่งสำคัญอย่างยิ่งสำหรับการใช้งานจริง
.
เรารายงานที่นี่ไฟฟ้าและความร้อนเสถียรภาพของทั่วไปและทองแดงจากพี
ติดต่อหลังจากลงโทษพวกเขา การรักษาความร้อนและความเครียดเป็นระยะ
กระบวนการปัจจุบันสูงนอกจากนี้ ความน่าเชื่อถือของ 3 – 5
ความเข้มข้นเซลล์แสงอาทิตย์ที่ใช้ติดต่อ
เหล่านี้ต่ำแสดงให้เห็นแสดงความเหมาะสมของพวกเขา .