The vertical gap is fabricated usin

The vertical gap is fabricated using simple thin-film deposition and wet-etching techniques. This may be an advantage over planar nanogap FETs, which require lithographic processing.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ช่องว่างแนวตั้งถูกประดิษฐ์โดยใช้เทคนิคการแกะสลักเปียกและสะสมง่ายบางภาพยนตร์ นี้อาจจะได้เปรียบเหนือระนาบ nanogap FETs ซึ่งต้องมีการสีบนแผ่นเหล็ก

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ช่องว่างในแนวตั้งประดิษฐ์โดยใช้ง่าย thin- ทับถม Fi LM และเปียกแกะสลักเทคนิค นี้อาจจะเป็นประโยชน์มากกว่า FETs nanogap ระนาบซึ่งต้องใช้การประมวลผลการพิมพ์หิน