The gold interdigitated microelectr

The gold interdigitated microelectrode sensor was fabricated
in-house on a glass chip (1737, Corning) by standard microelec-
tronic fabrication methods. Each chip contained four interdigi-
tated microelectrode sensors and measured 36 mm

15 mm as
depicted in supplemental information Fig. S1(left). Each gold
interdigitated microelectrode sensor consisted of a pair of 50-
finger electrodes with 8 mm of
finger width and spacing. The
fabrication process of the gold interdigitated microelectrode
sensor is illustrated in Fig. S1(right). Firstly, a standard positive
photoresist S1818 was coated on the glass chip (Fig. S1(a)). Then a
mask pattern of the interdigitated microelectrode was transferred
to the photoresist by exposing the photoresist to UV light (Fig. S1
(b)) and subsequently developing the exposed areas in MF-
319 developer (Shipley Far East Ltd., Tokyo, Japan) (Fig. S1(c)). The
chip was then rinsed in deionized water and dried by a stream of
nitrogen. Once the pattern was defined, 2 nm of chromium was
deposited by Q150T ES sputter-coater (Quorum Technologies Ltd.,
Laughton, UK) in order to improve the adherence of gold to the
glass surface (Fig. S1(d)). After the chromium deposition, 50 nm of
gold layer was sputtered to form the complete electrodes (Fig. S1
(e)). The excess metal on top of the unexposed photoresist was
lifted off by ultra-sonication in acetone (Fig. S1(f)). Fig. S2(a)
shows an optical microscopic image of a photoresist pattern
created using the photolithographic process and Fig. S2(b) shows
an optical microscopic image of a gold interdigitated microelec-
trode sensor.
90 J.-T. Liu et al. / Electrochimica Acta 182 (2015) 89–95

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีหลังสร้างเซ็นเซอร์ microelectrode ทอง interdigitatedภายในชิปแก้ว (1737 คอร์นทำ) ตามมาตรฐาน microelec -วิธีการประดิษฐ์ tronic แต่ละชิอยู่สี่ interdigi-tated microelectrode เซนเซอร์และวัด 36 มม.15 มม.เป็นแสดงข้อมูลเพิ่มเติมฟิก S1(left) ทองละประกอบด้วยเซนเซอร์ interdigitated microelectrode คู่ 50-นิ้วหุงตกับ 8 มม.ของความกว้างของนิ้วและระยะห่าง ที่กระบวนการผลิตของ microelectrode interdigitated ทองมีแสดงการเซ็นเซอร์ในฟิก S1(right) ประการแรก บวกมาตรฐานphotoresist S1818 ที่เคลือบบนชิปแก้ว (ฟิก S1(a)) แล้วรูปแบบหน้ากากของ interdigitated microelectrode ถูกถ่ายโอนการ photoresist โดย photoresist แสง UV (ฟิกเปิดเผย S1(ข)) และต่อมาพัฒนาพื้นที่สัมผัสใน MF -นักพัฒนา 319 (Shipley ฟาร์อีสท์ จำกัด โตเกียว ญี่ปุ่น) (ฟิก S1(c)) ที่ชิพแล้ว rinsed น้ำ deionized และแห้งตามกระแสไนโตรเจน เมื่อมีกำหนดรูปแบบ 2 nm ของโครเมียมเป็นฝากเงิน โดย Q150T ES sputter coater (ควอรัมเทคโนโลยี จำกัดLaughton สหราชอาณาจักร) เพื่อปรับปรุงต่าง ๆ ของทองไปผิวแก้ว (ฟิก S1(d)) หลังจากสะสมโครเมียม 50 นิวตันเมตรชั้นทองถูก sputtered เพื่อหุงตสมบูรณ์ (ฟิก S1(e)) เป็นโลหะส่วนเกินบน unexposed photoresistยกออก โดยอัลตร้า-sonication ในอะซีโตน (ฟิก S1(f)) ฟิก S2(a)แสดงภาพด้วยกล้องจุลทรรศน์แสงของรูป photoresistสร้างขึ้นโดยใช้กระบวนการ photolithographic และฟิก แสดง S2(b)ภาพด้วยกล้องจุลทรรศน์แสงคำทอง interdigitated microelec-trode เซ็นเซอร์ต.เจ. 90 หลิวและ al. / Electrochimica คตา 182 (2015) 89-95

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เซ็นเซอร์ microelectrode interdigitated
ทองประดิษฐ์ในบ้านบนชิปแก้ว(1737, Corning) โดย microelec-
มาตรฐานวิธีการผลิตTRONIC แต่ละชิปที่มีอยู่สี่ interdigi-
เซ็นเซอร์ tated microelectrode และวัด 36
มม?
15
มมเป็นที่ปรากฎในรูปข้อมูลเพิ่มเติม S1 (ซ้าย) แต่ละทองเซ็นเซอร์ microelectrode interdigitated ประกอบด้วยคู่ของ 50 ขั้วนิ้วกับ 8 มิลลิเมตรความกว้างของนิ้วและระยะห่าง กระบวนการผลิตของ microelectrode interdigitated ทองเซ็นเซอร์จะแสดงในรูปที่ S1 (ขวา) ประการแรกเป็นบวกมาตรฐานphotoresist S1818 ถูกเคลือบบนชิปแก้ว (รูป. S1 (ก)) จากนั้นรูปแบบหน้ากากของ microelectrode interdigitated ถูกย้ายไปไวแสงโดยเปิดเผยไวแสงกับแสงยูวี(รูป. S1 (ข)) และต่อมาพัฒนาพื้นที่โล่งใน MF- 319 พัฒนา (ชิพลีย์ฟาร์อีสท์ จำกัด , กรุงโตเกียวประเทศญี่ปุ่น) (รูป. S1 (ค)) ชิปถูกล้างแล้วในน้ำปราศจากไอออนและแห้งโดยกระแสของไนโตรเจน เมื่อรูปแบบที่ถูกกำหนดไว้ 2 นาโนเมตรโครเมียมถูกฝากQ150T ES-ปะทุ Coater (องค์ประชุม Technologies จำกัด , ลาสหราชอาณาจักร) เพื่อปรับปรุงการยึดมั่นของทองที่ผิวกระจก(รูป. S1 (ง)) หลังจากการสะสมโครเมียม 50 นาโนเมตรของชั้นทองพ่นในรูปแบบอิเล็กโทรดที่สมบูรณ์แบบ(รูป. S1 (จ)) โลหะส่วนเกินที่ด้านบนของไวแสงยังไม่ได้ถ่ายถูกยกออกจากอัลตร้า sonication ในอะซีโตน (รูป. S1 (ฉ)) รูป S2 (ก) แสดงให้เห็นภาพด้วยกล้องจุลทรรศน์แสงของรูปแบบไวแสงที่สร้างขึ้นโดยใช้กระบวนการและรูป photolithographic S2 (ข) แสดงให้เห็นภาพด้วยกล้องจุลทรรศน์แสงของทองinterdigitated microelec- เซ็นเซอร์เหยียบ. 90 J.-T. หลิว et al, / Electrochimica Acta 182 (2015) 89-95

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การไหลของแก๊สเซ็นเซอร์ไมโครอิเล็กโทรดทองถูกประดิษฐ์
ภายในบนชิปกระจก ( 374 , Corning ) โดยมาตรฐาน microelec -
โทรการประดิษฐ์วิธีการ แต่ละชิปที่มีสี่ interdigi -
tated ไมโครอิเล็กโทรดและเซนเซอร์วัด 36 มม. 15 มม. 


รูปที่ปรากฎในภาพเป็นข้อมูลเสริม S1 ( ซ้าย ) ไหลของแก๊สแต่ละทอง
ไมโครอิเล็กโทรดเซ็นเซอร์ประกอบด้วยคู่ของ 50 -
นิ้วกับ 8 มม. ความกว้างของขั้วไฟฟ้า
นิ้วและระยะห่าง
การผลิตของกระบวนการไหลของแก๊สไมโครอิเล็กโทรดทอง
เซ็นเซอร์จะแสดงในรูปที่ S1 ( ขวา ) เช่น ระบบ s1818 บวก
มาตรฐานถูกเคลือบบนกระจกแตก ( ภาพที่ S1 ( ) ) แล้ว
รูปแบบของไมโครอิเล็กโทรดไหลของแก๊สถูกโอน
กับระบบโดยการเปิดเผย photoresist แสง UV ( ภาพที่ S1
( B ) และต่อมาพัฒนาพื้นที่ใน จ. ตาก -
319 ผู้พัฒนา ( Shipley ฟาร์อีสท์จำกัด , โตเกียว , ญี่ปุ่น ) ( ภาพที่ S1 ( C )
ชิก็ล้างในน้ำคล้ายเนื้อเยื่อประสานและแห้งโดยกระแสของ
ไนโตรเจน เมื่อรูปแบบถูกกำหนดไว้ 2 nm ของโครเมียมคือ
ฝากโดย q150t ES ละล่ำละลักเครื่องเคลือบ ( องค์ประชุมเทคโนโลยีจำกัด
ลอเติ้น , UK ) เพื่อปรับปรุงการทอง
พื้นผิวแก้ว ( ภาพที่ S1 ( D ) หลังจากโครเมียมสะสม , 50 nm ของ
ชั้นทองคือ sputtered ฟอร์มขั้วไฟฟ้าที่สมบูรณ์ ( ภาพที่ S1
( e ) ) โลหะส่วนเกินบนด้านบนของ photoresist อิ่มคือ
ยกอัลตร้า sonication ) ( ภาพที่ S1 ( F ) รูปที่ S2 ( A )
แสดงแสงกล้องจุลทรรศน์ภาพของระบบแบบแผน
สร้างขึ้นโดยใช้กระบวนการ photolithographic และมะเดื่อ S2
( b ) แสดงภาพจากกล้องจุลทรรศน์แสง ทอง ไหลของแก๊ส microelec -
ชนะเซ็นเซอร์ .
90 J . Liu et al . / electrochimica ACTA 182 ( 2015 ) 89 - 95