Observed IB317Y4&IB317ZI showed hig

Observed IB317Y4&IB317ZI showed higher OVW, WPE, DCBN failure while lower MIN_NSR failure than DB3 wafer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สังเกต IB317Y4 และ IB317ZI พบสูง OVW, WPE, DCBN ล้มเหลวในขณะที่ความล้มเหลว MIN_NSR ต่ำกว่า DB3 ขัดแผ่น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สังเกต IB317Y4 & IB317ZI แสดงให้เห็นว่าสูงกว่า OVW, WPE, ความล้มเหลว DCBN ในขณะที่ต่ำกว่าความล้มเหลว MIN_NSR เวเฟอร์ DB3

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สังเกต ib317y4 & ib317zi สูงกว่า ovw wpe dcbn ในขณะที่ความล้มเหลว , ล้มเหลว , min_nsr กว่าเวเฟอร์ db3 .