the PN-junction silicon diode and t

the PN-junction silicon diode and the Schottky barrier diode. Both are available with a wide range of current ratings. The Schottky barrier diode has a much lower forward voltage drop of about 0.4 volts as opposed to the PN diodes 0.7 volt drop for a silicon device.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไดโอดซิลิคอน PN junction และไดโอดอุปสรรค Schottky มีบริการที่หลากหลายของการจัดอันดับปัจจุบัน ไดโอด Schottky อุปสรรคมีมากต่ำกว่าแรงดันไปข้างหน้าหยดประมาณ 0.4 โวลต์เมื่อเทียบกับดร PN ไดโอด 0.7 โวลต์สำหรับอุปกรณ์ซิลิโคน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

PN-แยกไดโอดซิลิคอนและไดโอด Schottky อุปสรรค ทั้งสองมีอยู่ที่มีความหลากหลายของการจัดอันดับในปัจจุบัน ไดโอด Schottky อุปสรรคมีแรงดันที่ต่ำกว่ามากไปข้างหน้าประมาณ 0.4 โวลต์เมื่อเทียบกับไดโอด PN ลดลง 0.7 โวลต์สำหรับอุปกรณ์ซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ส่วน PN Junction ซิลิคอนไดโอดไดโอดชอทท์กี้และอุปสรรค . ทั้งสองจะสามารถใช้ได้กับช่วงกว้างของคะแนนปัจจุบัน ไดโอดชอทท์กี้มีอุปสรรคมากล่างไปข้างหน้าแรงดันไฟฟ้าประมาณ 0.4 โวลต์เป็นนอกคอก PN ไดโอด 0.7 โวลต์วางสำหรับอุปกรณ์ซิลิคอน