Prior to the investigation of the s

Prior to the investigation of the sensitivity of the sensor to
hydrogen peroxide, the redox properties of the sensing layer
have been characterized in a phosphate buffer by applying a
sweep potential between 0–500 mV with respect to the SCE.
Fig. 3 shows a part of the cyclic voltammogram of the redox
active layer recorded at a sweep rate of 100 mV/s. The redox
peaks, typical for [Os2þ]/[Os3þ], are clearly visible. After
deposition of the Nafion layer, the cathodic and anodic peaks
diminished (dashed lines in Fig. 3), resulting from a slight
reduction of the redox properties of the Os-PVP.
The response of the sensor having the Nafion layer on the
gate to hydrogen peroxide has been studied by adding a
small amount of the stock hydrogen peroxide solution.
During measurement, a dc reducing current of 25 nA has
been applied. As can be seen in Fig. 4, when the hydrogen

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อนการตรวจสอบความไวของเซนเซอร์เพื่อไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ คุณสมบัติรีดอกซ์ของชั้นของการตรวจวัดลักษณะในฟอสเฟตบัฟเฟอร์ โดยใช้การปัดมีศักยภาพระหว่าง 0-500 mV เกี่ยวกับการ SCEรูป 3 แสดงเป็นส่วนหนึ่งของ voltammogram ทุกรอบของการรีดอกซ์เลเยอร์ใช้งานบันทึกอัตรากวาด 100 mV/s การรีดอกซ์ยอดเขา โดยทั่วไปสำหรับ [Os2þ] / [Os3þ], ได้ชัดเจน หลังจากสะสมของชั้น Nafion ยอด cathodic และไลลดลง (เส้นประในรูปที่ 3), เกิดจากเล็กน้อยลด redox คุณสมบัติของระบบปฏิบัติการพีวีพีการตอบสนองของเซ็นเซอร์ที่มีชั้น Nafion บนประตูกับไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ที่ได้รับการศึกษา โดยการเพิ่มการเล็กน้อยของการแก้ปัญหาสินค้าไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ในระหว่างการวัด dc ลดปัจจุบัน 25 นามีการใช้ สามารถเห็นได้ในรูป 4 เมื่อไฮโดรเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ก่อนที่จะมีการตรวจสอบความไวของเซ็นเซอร์ที่
ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์คุณสมบัติรีดอกซ์ของชั้นการตรวจวัด
มีลักษณะในฟอสเฟตบัฟเฟอร์โดยการใช้
ศักยภาพกวาดระหว่าง 0-500 mV ด้วยความเคารพ SCE ได้.
รูป 3 แสดงส่วนหนึ่งของวงจร voltammogram อกซ์เป็น
ชั้นที่ใช้งานที่บันทึกไว้ในอัตราที่กวาด 100 mV / S อกซ์
ยอดปกติสำหรับ [Os2þ] / [Os3þ] สามารถมองเห็นได้อย่างชัดเจน หลังจาก
การทับถมของชั้น Nafion ที่ cathodic และขั้วบวกยอด
ลดลง (เส้นประในรูปที่. 3) เป็นผลมาจากเล็กน้อย
ลดลงของคุณสมบัติรีดอกซ์ของ os-PVP.
การตอบสนองของเซ็นเซอร์ที่มีชั้น Nafion บน
ประตู ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ได้รับการศึกษาโดยการเพิ่ม
จำนวนเงินขนาดเล็กของการแก้ปัญหาเปอร์ออกไซด์หุ้นไฮโดรเจน.
ในช่วงการวัดเป็น DC ลดปัจจุบันของ 25 nA ได้
ถูกนำมาใช้ ที่สามารถเห็นได้ในรูป 4 เมื่อไฮโดรเจน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ก่อนที่จะมีการตรวจสอบความไวของเซ็นเซอร์ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ ไฟฟ้า คุณสมบัติของข้อมูลชั้นมีลักษณะในฟอสเฟตบัฟเฟอร์โดยประยุกต์ใช้กวาดที่อาจเกิดขึ้นระหว่าง 0 – 500 MV ด้วยความเคารพให้สวย .รูปที่ 3 แสดงให้เห็นส่วนหนึ่งของ voltammogram วงกลมของรีดอกซ์ชั้นทำงานที่บันทึกไว้ที่กวาดคะแนน 100 MV / s รีดอกซ์ยอดทั่วไป [ os2 þ ] / [ os3 þ ] ที่มองเห็นได้อย่างชัดเจน หลังจากการตกสะสมของเนฟิออนชั้นยอด และการกัดกร่อนลดลง ( เส้นประในรูปที่ 3 ) , เป็นผลจากเล็กน้อยลดไฟฟ้า คุณสมบัติของ OS พีวีพีการตอบสนองของเซ็นเซอร์มีซึ่งชั้นบนประตู ไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ได้ถูกศึกษา โดยการเพิ่มจำนวนเล็ก ๆของ Stock สารละลายไฮโดรเจนเปอร์ออกไซด์ .ในระหว่างการวัด ลดกระแส DC 25 นาถูกนำมาใช้ ที่สามารถเห็นได้ในรูปที่ 4 เมื่อไฮโดรเจน