With magnetic heads operating close

With magnetic heads operating closer to hard disks, the hard disks are forced to be ultra-smooth. At present, chemical–mechanical polishing (CMP) has become a widely accepted global planarization technology. In this paper, the effects of SiO2 particle size, and the contents of SiO2 particle, oxidizer and lubricant additive in the prepared slurry, as well as pH value of the slurry, on the polishing performances in the CMP of hard disk substrates with nickel–phosphorous plated were investigated. Results indicated that the average roughness (Ra) and the average waviness (Wa) of the polished surfaces as well as material removal amount were much dependent on all of the factors above. For comparison, CMP of hard disk substrates with a kind of commercial SiO2 slurry was conducted under the same polishing conditions. Based on Auger electron spectrogram (AES) examinations of the chemical changes in the polished surfaces with the prepared slurry, the CMP mechanism was deduced preliminarily.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีหัวแม่เหล็กในการทำงานใกล้ชิดกับฮาร์ดดิสก์ ฮาร์ดดิสก์ถูกบังคับจะนุ่มนวลเป็นพิเศษ ปัจจุบัน เคมี – เครื่องกลขัด (CMP) ได้กลายเป็น เทคโนโลยีที่ยอมรับอย่างกว้างขวางทั่วโลก planarization ในกระดาษนี้ ผลกระทบของขนาดอนุภาค SiO2 และเนื้อหาของ SiO2 อนุภาค oxidizer และสารหล่อลื่นที่เติมในสารละลายเตรียมไว้ เช่นเดียวกับค่า pH ของสารละลาย เกี่ยวกับการแสดงขัดใน CMP ของฮาร์ดดิสก์ชุบพื้นผิว ด้วยนิกเกิล – ฟอสฟอรัสถูกสอบสวน ผลระบุว่า ความหยาบผิวเฉลี่ย (Ra) และ waviness เฉลี่ย (Wa) ของพื้นผิวขัดเงาเป็นวัสดุกำจัดยอดได้ขึ้นอยู่กับปัจจัยข้างต้นทั้งหมด สำหรับการเปรียบเทียบ CMP ของพื้นผิวฮาร์ดดิสก์กับชนิดของสารละลาย SiO2 พาณิชย์ดำเนินการภายใต้เงื่อนไขเดียวกันขัด คะแนนเฉลียจากสว่านอิเล็กตรอนแสงแยกสี (AES) การตรวจการเปลี่ยนแปลงทางเคมีในพื้นผิวขัดเงาด้วยสารละลายเตรียมไว้ กลไก CMP ถูกซึ่งสามารถกล่าวได้เบื้องต้นได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กับหัวแม่เหล็กในการดำเนินงานที่ใกล้ชิดกับฮาร์ดดิสก์ฮาร์ดดิสก์ที่ถูกบังคับให้เป็นที่นุ่มนวลเป็นพิเศษ ปัจจุบันสารเคมีวิศวกรรมขัด (CMP) ได้กลายเป็นเทคโนโลยี planarization ที่ยอมรับอย่างกว้างขวางทั่วโลก ในบทความนี้ผลของขนาดอนุภาค SiO2 และเนื้อหาของ SiO2 อนุภาคสันดาปและสารเติมแต่งน้ำมันหล่อลื่นในสารละลายที่เตรียมไว้เช่นเดียวกับค่าพีเอชของสารละลายในการแสดงขัดใน CMP ของพื้นผิวฮาร์ดดิสก์ที่มีนิกเกิล ฟอสฟอรัสชุบถูกตรวจสอบ ผลการศึกษาพบว่าความหยาบเฉลี่ย (Ra) และด้วยอุปกรณ์ชุดเฉลี่ย (WA) ของพื้นผิวขัดมันเช่นเดียวกับปริมาณการกำจัดวัสดุที่มีมากขึ้นอยู่กับปัจจัยดังกล่าวข้างต้น สำหรับการเปรียบเทียบ CMP ของพื้นผิวฮาร์ดดิสก์ที่มีชนิดของสารละลาย SiO2 ในเชิงพาณิชย์ได้ดำเนินการภายใต้เงื่อนไขที่ขัดเดียวกัน ขึ้นอยู่กับสว่านอิเล็กตรอน spectrogram (AES) การตรวจสอบของการเปลี่ยนแปลงทางเคมีในพื้นผิวขัดกับสารละลายที่เตรียมไว้กลไก CMP ถูกอนุมานเบื้องต้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แม่เหล็กหัวปฏิบัติใกล้ชิดกับฮาร์ดดิสก์ฮาร์ดดิสก์ถูกบังคับให้อัลตร้าเรียบ ปัจจุบัน ทางเคมีและเครื่องกลขัด ( CMP ) ได้กลายเป็นที่ยอมรับกันอย่างแพร่หลายทั่วโลก planarization เทคโนโลยี ในกระดาษนี้ ผลของขนาดอนุภาคซิลิกา และเนื้อหาของ SiO2 และอนุภาค oxidizer สารหล่อลื่นในเตรียมสารละลาย ตลอดจนค่า pH ของสารละลาย ที่ขัดการแสดงในประสิทธิภาพของพื้นผิวของฮาร์ดดิสก์ที่มีนิกเกิล - ฟอสฟอรัส ชุบได้ ผลการศึกษาพบว่า ค่าเฉลี่ย ( Ra ) และเป็นคลื่นเฉลี่ย ( WA ) ของพื้นผิวขัด รวมทั้งปริมาณการกำจัดวัสดุขึ้นอยู่กับทั้งหมดของปัจจัยข้างต้น สำหรับการเปรียบเทียบประสิทธิภาพของพื้นผิวฮาร์ดดิสก์กับชนิดของสารละลายซิลิกอนไดออกไซด์พาณิชย์ดำเนินการภายใต้เงื่อนไขขัดเดียวกัน ใช้สว่านอิเล็กตรอน ( AES ) ทำให้การตรวจสอบของการเปลี่ยนแปลงทางเคมีของพื้นผิวที่ขัดกับเตรียมสารละลาย กลไก CMP คืออนุมานเบื้องต้น .