The preparation of single-layer gra

The preparation of single-layer graphene by the thermal decomposition of silicon carbide (SiC) has been proposed as a viable route for the synthesis of uniform,


wafer-size graphene layers for technological applications5–7.

A considerable advantage of this method is that insulating SiC substrates can be used so that transfer to another insulator is not required.


However, the large-scale structural quality is limited at present by the lack of continuity
and uniformity of the grown film.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเตรียมความพร้อมของกราฟีนชั้นเดียวจากการสลายตัวทางความร้อนของซิลิกอนคาร์ไบด์ (SIC) ได้รับการเสนอเป็นเส้นทางที่มีศักยภาพสำหรับการสังเคราะห์เครื่องแบบเวเฟอร์ขนาดgraphene ชั้นสำหรับเทคโนโลยี applications5-7. ประโยชน์ที่สำคัญของวิธีนี้คือฉนวน พื้นผิว SiC สามารถนำมาใช้เพื่อให้การถ่ายโอนไปฉนวนกันความร้อนอื่น ๆ ที่ไม่จำเป็นต้องใช้. แต่ที่มีคุณภาพขนาดใหญ่ที่มีโครงสร้างจะถูก จำกัด ในปัจจุบันโดยขาดความต่อเนื่องและความสม่ำเสมอของภาพยนตร์เติบโต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเตรียมการของ graphene ชั้นเดียวโดยการสลายตัวทางความร้อนของซิลิคอนคาร์ไบด์ ( SIC ) ได้รับการเสนอเป็นเส้นทางที่ใช้สำหรับการสังเคราะห์ของเครื่องแบบ


ขนาดชั้น graphene เวเฟอร์สำหรับ applications5 เทคโนโลยี– 7

เป็นประโยชน์มากของวิธีนี้คือว่า SIC พื้นผิวฉนวนสามารถใช้เพื่อถ่ายโอนไปยังฉนวนอีก ไม่ต้อง


อย่างไรก็ตามคุณภาพโครงสร้างขนาดใหญ่จะถูก จำกัด ในปัจจุบัน โดยขาดความต่อเนื่อง
และสามัคคีของการปลูกฟิล์ม