Thin carbon films were synthesized

Thin carbon films were synthesized by Pulsed Laser Deposition in vacuum or 0.5, 1, 10 mbar CH4 atmospheres on quartz and Si (100) substrates. The films had a very good compatibility with the Si (100) substrate, remaining adherent irrespective of the deposition temperature. For substrate temperatures below 200 °C, the films were not adherent to quartz, delaminating and forming flakes. At 200 °C, the films became adherent to quartz, but the bonding strength had values 40% lower compared to films synthesized on Si (100). The mismatch of the CTE was the most plausible cause for the layers incompatibility with the substrates. By introducing a buffer gradient layer with varying composition between substrate and films the bonding strength was increased by around 60%. The buffer had no effect on the bonding strength between Si (100) and the carbon films.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

มีสังเคราะห์ฟิล์มบางคาร์บอนสูงสะสมเลเซอร์ในสูญญากาศ หรือ 0.5, 1, 10 mbar CH4 ชาญควอตซ์และพื้นผิวสี (100) ภาพยนตร์มีความเข้ากันได้ดีกับพื้นผิวสี (100) adherent เหลือไม่อุณหภูมิสะสม สำหรับอุณหภูมิพื้นผิวต่ำกว่า 200 ° C ภาพยนตร์ได้ไม่นฤมลกับควอตซ์ delaminating และขึ้นรูป flakes ที่ 200 ° C ภาพยนตร์กลายเป็น adherent ควอตซ์ แต่แรงงานมีค่า 40% ต่ำกว่าเมื่อเทียบกับฟิล์มสังเคราะห์บนศรี (100) ตรง CTE เป็นสาเหตุชั้นความไม่เข้ากันกับพื้นผิวเป็นไปได้มากที่สุด โดยการแนะนำการไล่ระดับชั้นบัฟเฟอร์ มีองค์ประกอบแตกต่างกันระหว่างพื้นผิวและฟิล์ม แรงงานที่เพิ่มขึ้นประมาณ 60% บัฟเฟอร์ที่ไม่มีผลต่อแรงยึดระหว่างศรี (100) และฟิล์มคาร์บอนได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางคาร์บอนถูกสังเคราะห์โดยสะสม Pulsed เลเซอร์ในสูญญากาศหรือ 0.5, 1, 10 เอ็มบาร์บรรยากาศ CH4 ในควอทซ์และศรี (100) พื้นผิว ภาพยนตร์ที่มีความเข้ากันได้ดีมากกับศรี (100) สารตั้งต้นที่เหลือพรรคพวกโดยไม่คำนึงถึงอุณหภูมิสะสม สำหรับอุณหภูมิพื้นผิวต่ำกว่า 200 องศาเซลเซียสภาพยนตร์ที่ไม่ได้สานุศิษย์เพื่อผลึก delaminating และกลายเป็นสะเก็ด ที่ 200 ° C ภาพยนตร์กลายเป็นสาวกผลึก แต่ความแข็งแรงพันธะมีค่า 40% ลดลงเมื่อเทียบกับภาพยนตร์สังเคราะห์ในศรี (100) ไม่ตรงกันของ CTE คือสาเหตุที่เป็นไปได้มากที่สุดสำหรับความไม่ลงรอยกันชั้นกับพื้นผิว โดยการแนะนำชั้นไล่ระดับสีบัฟเฟอร์ที่มีองค์ประกอบที่แตกต่างกันระหว่างพื้นผิวและภาพยนตร์ความแข็งแรงพันธะที่เพิ่มขึ้นประมาณ 60% บัฟเฟอร์ที่มีผลต่อความแข็งแรงพันธะระหว่างศรี (100) และภาพยนตร์คาร์บอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางคาร์บอนที่สังเคราะห์โดยการเคลือบในสูญญากาศพัลส์เลเซอร์ หรือ 0.5 , 1 , 10 mbar ( ในร่างควอตซ์และศรี ( 100 ) ท ภาพยนตร์มีความเข้ากันได้ดีกับศรี ( 100 ) สารตั้งต้นที่เหลือพลพรรคโดยไม่คำนึงถึงการสะสมอุณหภูมิ สำหรับพื้นผิวอุณหภูมิต่ำกว่า 200 องศา C , ภาพยนตร์ที่ไม่ยึดมั่นกับควอตซ์ delaminating และการขึ้นรูปเกล็ด ที่ 200 องศา Cภาพยนตร์กลายเป็นการยึดมั่นกับควอทซ์ แต่ความแข็งแรงพันธะมีมูลค่า 40% ต่ำกว่าฟิล์มทองแดง Si ( 100 ) ไม่ตรงกันของ ETC เป็นสาเหตุที่น่าเชื่อถือที่สุดสำหรับชั้นกันกับท โดยการบัฟเฟอร์ที่ลาดชั้นองค์ประกอบระหว่างพื้นผิวและภาพยนตร์เชื่อมความแข็งแรงเพิ่มขึ้นประมาณ 60 เปอร์เซ็นต์บัฟเฟอร์ไม่มีผลต่อความแข็งแรงพันธะระหว่างจังหวัด ( 100 ) และคาร์บอนฟิล์ม