The stripping voltammograms were ch

The stripping voltammograms were checked in a solution containing 30 μg L−1 of Pb(II) and 1000 μg L−1 Bi(III) in pH 4.5 acetate buffer. Very well defined peaks at about −0.60 V and −0.12 V for lead and bismuth, respectively, were found. The influence of the concentration of Bi(III) on the stripping peak of Pb(II) was studied in the range from 200 to 2000 μg L−1, each containing 30 μg L−1 of Pb(II) with a deposition time, td=120 s. As shown in Fig. 2, the height of the Pb(II) stripping peaks displayed a clear dependence on the Bi film thickness as they increased with increasing concentrations of bismuth ions from 200 to 1000 μg L−1.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Voltammograms ลอกได้ถูกตรวจสอบในการแก้ปัญหาที่ประกอบด้วย 30 ไมโครกรัม L−1 Pb(II) และ 1000 ไมโครกรัม L−1 Bi(III) ในค่า pH 4.5 อะซิเตบัฟเฟอร์ ดี ยอดกำหนดที่เกี่ยวกับ −0.60 V −0.12 V สำหรับตะกั่วและบิสมัท ตามลำดับ พบ เป็นศึกษาอิทธิพลของความเข้มข้นของ Bi(III) ในช่วงลอก Pb(II) ในช่วง 200 ถึง 2000 ไมโครกรัม L−1 แต่ละที่มี 30 ไมโครกรัม L−1 Pb(II) มีเวลาสะสม td = 120 s ดังแสดงในรูป 2 ความสูงของยอดลอก Pb(II) แสดงความหนาของฟิล์มสองพึ่งล้าง ตามที่พวกเขาเพิ่มขึ้น ด้วยการเพิ่มความเข้มข้นของบิสมัทไอออนจาก 200 ไมโครกรัม 1000 L−1

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

voltammograms ปอกถูกตรวจสอบในการแก้ปัญหาที่มี 30 ไมโครกรัม L-1 ของตะกั่ว (II) และ 1,000 ไมโครกรัม L-1 Bi (III) ในค่า pH 4.5 บัฟเฟอร์อะซิเตท ยอดที่กำหนดไว้เป็นอย่างดีที่ประมาณ -0.60 -0.12 V และ V สำหรับนำและบิสมัทตามลำดับพบ อิทธิพลของความเข้มข้นของ Bi (III) บนยอดเขาปอกตะกั่ว (II) ได้ศึกษาอยู่ในช่วง 200-2,000 ไมโครกรัม L-1 แต่ละที่มี 30 ไมโครกรัม L-1 ของตะกั่ว (II) มีเวลาให้การของพยานที่ TD = 120 วินาที ดังแสดงในรูป 2 ความสูงของตะกั่ว (II) ปอกยอดเขาแสดงการพึ่งพาอาศัยกันที่ชัดเจนเกี่ยวกับความหนาของฟิล์ม Bi เพิ่มขึ้นขณะที่พวกเขามีความเข้มข้นที่เพิ่มขึ้นของไอออนบิสมัท 200-1000 ไมโครกรัม L-1

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การปอก voltammograms ถูกตรวจสอบในสารละลายที่มี 30 μ G L − 1 ตะกั่ว ( II ) และ 1000 μ G L − 1 บี ( 3 ) pH 4.5 อะซิเตตบัฟเฟอร์ ดียอดที่กำหนดเกี่ยวกับ−− 0.2 V 1 V และ สารตะกั่ว และบิสมัท ตามลำดับ พบว่า อิทธิพลของความเข้มข้นของบี ( 3 ) บนยอดเขา ปอก ตะกั่ว ( II ) ได้ทำการศึกษาในช่วง 200 - 2000 μ G L − 1 แต่ละที่มี 30 μ G L − 1 ตะกั่ว ( II ) กับการเวลา , TD = 120 วินาที ดังแสดงในรูปที่ 2 , ความสูง ของตะกั่ว ( II ) ปอกยอดแสดงการชัดเจนเกี่ยวกับบีให้ความหนาของฟิล์มจะเพิ่มขึ้นตามความเข้มข้นของไอออนธาตุบิสมัทจาก 200 ถึง 1000 μ G L − 1