current source. After etching, the

current source. After etching, the pSi was thoroughly rinsed with
ethanol and dried in a nitrogen gas flow. Then, the sample was
thermally oxidized at 800 °C for 20 min. The porosity of oxidized
porous Si film was determined from reflectance spectra using the
Spectroscopic Liquid Infiltration Method (SLIM) (Segal et al., 2007).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แหล่งที่มาปัจจุบัน หลังจากแกะสลัก pSi ที่ถูกสะอาดล้างด้วยเอทานอล และแห้งในการไหลของก๊าซไนโตรเจน แล้ว เป็นตัวอย่างความร้อนออกซิไดซ์ที่อุณหภูมิ 800 ° C 20 นาที ความพรุนของออกซิไดซ์กำหนดรูพรุนในภาพยนตร์จากมุมสะท้อนที่ใช้การวิธีการแทรกซึมของเหลวด้าน (บาง) (Segal et al. 2007)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มาในปัจจุบัน หลังจากแกะสลัก, PSI ถูกล้างให้สะอาดด้วย
เอทานอลและแห้งในการไหลของก๊าซไนโตรเจน จากนั้นกลุ่มตัวอย่างที่ถูก
ออกซิไดซ์ความร้อนที่ 800 องศาเซลเซียสเป็นเวลา 20 นาที พรุนของออกซิไดซ์
ที่มีรูพรุนภาพยนตร์ศรีถูกกำหนดจากสเปกตรัมสะท้อนใช้
สเปกโทรสโกของเหลวแทรกซึมวิธี (SLIM) (ซีกัล et al., 2007)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แหล่งที่มาของปัจจุบัน หลังจากการ , psi ก็สะอาดล้างด้วยเอทานอล และแห้งในไนโตรเจนก๊าซไหล จากนั้น กลุ่มตัวอย่างคือปริมาณออกซิเจนที่ 800 ° C เป็นเวลา 20 นาที ความพรุนของออกซิไดซ์ฟิล์มรูพรุนถูกกำหนดจากค่าการสะท้อนแสง จังหวัดใช้วิธีคือการแทรกซึมของเหลว ( บาง ) ( ซีกัล et al . , 2007 )