Vapour condensation techniquesIn th

Vapour condensation techniques
In the gold-silicon system of Figure 5, at compositions far from the cusp, glasses cannot be formed by melt quenching—even by the rapid splat-quench technique of Figure 4. (This is the reason that the Tg curve of Figure 5 spans only compositions near the cusp.) Amorphous solids can still be prepared by dispensing with the liquid phase completely and constructing a thin solid film in atom-by-atom fashion from the gas phase. Figure 4D shows the simplest of these vapour-condensation techniques. A vapour stream, formed within a vacuum chamber by thermalevaporation of a sample of the material to be deposited, impinges on the surface of a cold substrate. The atoms condense on the cold surface and, under a range of conditions (usually a high rate of deposition and a low substrate temperature), an amorphous solid is formed as a thin film. Pure silicon can be prepared as an amorphous solid in this manner. Variations of the method include using an electron beam to vapourize the source or using the plasma-induced decomposition of a molecular species. The latter technique is used to deposit amorphous silicon from gaseous silane (SiH4). Among the amorphous solids listed in the table, those that normally require vapour-condensation methods for their preparation are silicon (Si), germanium (Ge), water (H2O), and the elemental metallic glasses iron (Fe), cobalt (Co), and bismuth (Bi).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคนิคการควบแน่นไอในระบบซิลิคอนทองรูป 5 ที่ประกอบจาก cusp แว่นไม่สามารถเกิดขึ้น โดยละลายชุบ — โดยเทคนิครวดเร็ว splat เทียบดับของรูปที่ 4 (นี่คือเหตุผลว่า Tg โค้งของรูป 5 ครอบคลุมองค์ประกอบเฉพาะใกล้ cusp) ยังสามารถเตรียมของแข็งสัณฐาน โดยจ่ายกับเฟสของเหลวทั้งหมด และสร้างเป็นฟิล์มแข็งบางอะตอมโดยอะตอมแฟชั่นจากเฟสก๊าซ รูป 4D แสดงง่ายที่สุดของเทคนิคเหล่านี้ควบแน่นไอ สตรีมไอ เกิดขึ้นภายในห้องสุญญากาศ โดย thermalevaporation ของตัวอย่างของวัสดุที่จะนำฝาก impinges บนพื้นผิวของพื้นผิวเย็น บีบอะตอมบนพื้นผิวเย็น และ ภายใต้ช่วงของเงื่อนไข (มักจะสูงอัตราการสะสมและอุณหภูมิพื้นผิวต่ำ), แข็งเป็นไปจะเกิดเป็นฟิล์มบาง ซิลิคอนบริสุทธิ์สามารถเตรียมเป็นแข็งเป็นไปในลักษณะนี้ รูปแบบวิธีการรวมที่ใช้ลำแสงอิเล็กตรอน vapourize แหล่งที่มา หรือใช้การย่อยสลายเกิดพลาสมาชนิดโมเลกุล เทคนิคหลังใช้ฝากไปซิลิคอนจากก๊าซ silane (SiH4) ระหว่างของแข็งสัณฐานแสดงในตาราง ที่ปกติต้องใช้วิธีการควบแน่นไอสำหรับการเตรียมตัวคือซิลิคอน (Si), เจอร์เมเนียม (Ge), น้ำ (H2O), และแว่นตาโลหะธาตุเหล็ก (Fe), โคบอลต์ (Co), และบิสมัท (Bi)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เทคนิคการควบแน่นไอ
ในระบบทองซิลิคอนรูปที่ 5 ที่องค์ประกอบไกลจากจุดที่แก้วไม่สามารถเกิดขึ้นจากการละลายดับแม้โดยเทคนิคเครื่องหมาย-ดับอย่างรวดเร็วของรูปที่ 4 (นี่คือเหตุผลที่ว่าเส้นโค้ง Tg ของ รูปที่ 5 ครอบคลุมองค์ประกอบเพียงใกล้ cusp ได้.) ป่นโปรตีนยังสามารถจัดทำโดยจ่ายกับของเหลวอย่างสมบูรณ์และการสร้างภาพยนตร์ที่เป็นของแข็งบางในแฟชั่นอะตอมโดยอะตอมจากเฟสก๊าซ รูปที่แสดง 4D ที่ง่ายที่สุดของเทคนิคการควบแน่นไอน้ำเหล่านี้ กระแสไอเกิดขึ้นภายในห้องสูญญากาศโดย thermalevaporation ของกลุ่มตัวอย่างของวัสดุที่นำมาฝากให้กระทบบนพื้นผิวของพื้นผิวเย็น อะตอมรวมตัวบนพื้นผิวที่หนาวเย็นและภายใต้ช่วงของเงื่อนไข (มักจะเป็นอัตราที่สูงของการสะสมและอุณหภูมิพื้นผิวต่ำ) ซึ่งเป็นของแข็งอสัณฐานเป็นรูปเป็นฟิล์มบาง ๆ ซิลิคอนบริสุทธิ์สามารถเตรียมเป็นของแข็งอสัณฐานในลักษณะนี้ รูปแบบของวิธีการรวมถึงการใช้ลำแสงอิเล็กตรอน vapourize แหล่งที่มาหรือใช้การสลายตัวพลาสม่าที่เกิดขึ้นของสายพันธุ์ในระดับโมเลกุล เทคนิคหลังถูกนำมาใช้ในการฝากซิลิคอนอสัณฐานจากก๊าซไซเลน (SiH4) ในบรรดาป่นโปรตีนที่ระบุไว้ในตารางที่ปกติต้องวิธีการสะสมไอควบแน่นสำหรับการเตรียมการของพวกเขามีซิลิกอน (Si) เจอร์เมเนียม (GE), น้ำ (H2O) และแว่นตาธาตุโลหะเหล็ก (Fe), โคบอลต์ (CO) และบิสมัท (BI)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เทคนิคไอควบแน่นในทองคำ ซิลิคอนระบบของรูปที่ 5 ที่จัดไกลจาก cusp , แว่นตาไม่สามารถเกิดขึ้นโดยละลายดับได้โดยสัญญาณเทคนิคอย่างรวดเร็วดับของรูปที่ 4 ( นี่คือเหตุผลที่ TG โค้งรูปที่ 5 ครอบคลุมเพียงองค์ประกอบใกล้ cusp ) ของแข็งอสัณฐานยังสามารถเตรียมโดยจ่ายด้วยเฟสของเหลวและของแข็งทั้งหมดสร้างฟิล์มบางในอะตอมโดยอะตอมแฟชั่นจากก๊าซระยะ รูป 4D แสดงที่ง่ายที่สุดของเหล่านี้ไอน้ำควบแน่นเทคนิค ไอ กระแสที่เกิดขึ้นภายในห้องสูญญากาศโดย thermalevaporation ของตัวอย่างของวัสดุที่จะฝากอีกบนพื้นผิวของพื้นผิวเย็น อะตอมรวมตัวบนพื้นผิวที่เย็นและในช่วงของเงื่อนไข ( โดยปกติอัตราที่สูงของการตั้งต้นและอุณหภูมิต่ำ ) , ของแข็งอสัณฐานมีรูปแบบเป็นฟิล์มบาง ซิลิคอนบริสุทธิ์สามารถเตรียมเป็นอสัณฐานของแข็งในลักษณะนี้ รูปแบบของวิธีการรวมถึงการใช้ลำแสงอิเล็กตรอนจะระเหย แหล่งที่มา หรือใช้พลาสมากระตุ้นการสลายตัวของโมเลกุลชนิด เทคนิคหลังใช้ฝากซิลิคอนอสัณฐานจากก๊าซไซเลน ( sih4 ) ของอสัณฐานของแข็งอยู่ในโต๊ะ ที่ปกติต้องใช้ไอน้ำควบแน่นวิธีการเตรียมคือ ซิลิกอน ( Si ) , เจอร์เมเนียม ( Ge ) , น้ำ ( H2O ) และธาตุโลหะ แก้ว เหล็ก ( Fe ) โคบอลต์ ( Co ) และบิสมัท ( Bi )