The idea for a SZD was introduced b

The idea for a SZD was introduced by Movchan and Demchishin [1] in 1969 for very thick films made by evaporation. In this case, the only reduced parameter was the homologous temperature, h T , defined as the film growth temperature normalized by the melting temperature of the deposited film material (both in Kelvin),

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไอเดียสำหรับ SZD ถูกนำ โดย Movchan และ Demchishin [1] ใน 1969 สำหรับฟิล์มหนามากการระเหย ในกรณีนี้ พารามิเตอร์ลดเฉพาะอุณหภูมิ homologous, h T กำหนดให้เป็นอุณหภูมิฟิล์มเติบโตตามปกติ โดยอุณหภูมิละลายวัสดุฟิล์มนำฝาก (ทั้งในเคลวิน),

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ความคิด SZD- สนามบินที่ได้รับการแนะนำให้รู้จักกับ Movchan และ [1] Demchishin ในปี 1969 สำหรับภาพยนตร์หนามากทำโดยการระเหย ในกรณีนี้พารามิเตอร์ลดลงเพียงเป็นอุณหภูมิที่คล้ายคลึงกัน, H T หมายถึงอุณหภูมิการเจริญเติบโตของภาพยนตร์เรื่องปกติโดยอุณหภูมิหลอมละลายของวัสดุฟิล์มฝาก (ทั้งในเคลวิน)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ความคิดสำหรับ szd แนะนำ movchan และ demchishin [ 1 ] ในปี 1969 ฟิล์มหนามากโดยการระเหย ในกรณีนี้ ลดลงเพียงพารามิเตอร์เป็นโฮโมโลกัส อุณหภูมิ , H T หมายถึงการพัฒนาฟิล์มอุณหภูมิปกติ โดยละลายอุณหภูมิของฝากฟิล์มวัสดุ ( ทั้งใน เคลวิน )