Design a self-bias circuit to accom

Design a self-bias circuit to accomplish the following design goal: as F of a silicon BJT varies between 80 and 200 the collector current lies within the range 1.35 mA to 1.65 mA. Assume VCC = 15 V;RC = 2:2 k, and no transistor variation in VBE or ICO.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ออกแบบวงจรอคติตัวเองเพื่อให้บรรลุเป้าหมายการออกแบบต่อไปนี้: เป็น F ซิลิคอนภูมิใจแตกต่างกันระหว่าง 80 และ 200 อยู่ปัจจุบันเก็บใน mA ช่วง 1.35 ถึง 1.65 mA สมมติ VCC = 15 V RC = k 2:2 และไม่ผันแปรทรานซิสเตอร์ใน VBE หรือ ICO

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การออกแบบวงจรตนเองอคติเพื่อบรรลุเป้าหมายการออกแบบต่อไปนี้: เป็น F ของ BJT ซิลิกอนที่แตกต่างกันระหว่าง 80 และ 200 สะสมในปัจจุบันอยู่ในช่วง 1.35 mA 1.65 มิลลิแอมป์ สมมติ VCC = 15 V; RC = 2: 2 K ?, และไม่มีการเปลี่ยนแปลงทรานซิสเตอร์ใน VBE หรือ ICO

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การออกแบบวงจรด้วยอคติเพื่อให้บรรลุต่อไปนี้ออกแบบเป้าหมาย : เป็น F ของซิลิคอน BJT แตกต่างกันระหว่าง 80 และ 200 นักสะสมในปัจจุบันอยู่ในช่วง 1.35 มาม้า 1.65 . สมมติ VCC = 15 V ; RC = 2 : 2 K , และไม่มีการเปลี่ยนแปลงใน vbe ทรานซิสเตอร์หรือ ICO