Highlights•We demonstrate a new dop

Highlights
•
We demonstrate a new doping procedure by Mechanical Alloying (MA).
•
For small dopant concentrations, charge compensation of Nb is primarily attributed to free electrons.
•
At higher Nb concentrations cation vacancies prevail as compensation mechanism.
Keywords
BaTiO3; Mechanical alloying; Electro-ceramics; Semiconductor

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไฮไลท์•แสดงให้เห็นถึงขั้นตอนยาสลบใหม่โดยกลเจือ (MA)•สำหรับ dopant เล็กความเข้มข้น ค่าชดเชยของ Nb เป็นหลักเกิดจากอิเล็กตรอนฟรี•ที่ความเข้มข้นสูงของ Nb รกตำแหน่งเหนือกว่าเป็นกลไกการชดเชยคำสำคัญBaTiO3 เจือจักรกล เครื่องเคลือบไฟฟ้า สารกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ไฮไลท์
•
เราแสดงขั้นตอนการเติมใหม่โดยการเติมธาตุผสมวิศวกรรม (MA).
•
ความเข้มข้นเจือปนขนาดเล็กเรียกเก็บค่าตอบแทนของ Nb มีสาเหตุหลักในการอิเล็กตรอนอิสระ.
•
ที่ความเข้มข้นสูง Nb ตำแหน่งงานว่างไอออนบวกเหนือกว่าเป็นกลไกการชดเชย.
คำ
BaTiO3; ผสมวิศวกรรม; Electro-เซรามิก สารกึ่งตัวนำ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไฮไลท์-เราแสดงใหม่ขั้นตอนโดยการเติมโลหะผสมเชิงกล ( MA )-สำหรับขนาดเล็กโดพันท์ความเข้มข้นค่าใช้จ่ายค่าตอบแทนของ NB เป็นหลักประกอบกับอิเล็กตรอนอิสระ-ที่ระดับความเข้มข้นในที่ว่างเหนือเป็น NB กลไกการชดเชยคำสำคัญbatio3 ; โลหะผสมเชิงกล ; โรงเซรามิก ; สาร