PCRAM technology is based on a chal

PCRAM technology is based on a chalcogenide alloy(typically, Ge2–Sb2–Te5, GST) material).The data storage capability is achieved from the resistance differences between an amorphous (high-resistance) and a crystalline (low-resistance) phase of the GST node

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เทคโนโลยี PCRAM ขึ้นอยู่กับโลหะผสม chalcogenide (โดยทั่วไป ge2-SB2-TE5, GST) วัสดุ). ความสามารถในการจัดเก็บข้อมูลที่จะประสบความสำเร็จจากความแตกต่างระหว่างความต้านทานอสัณฐาน (ความต้านทานสูง) และผลึก (ต่ำต้านทาน) ขั้นตอนของการ โหนดภาษีมูลค่าเพิ่ม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใช้เทคโนโลยี PCRAM สัมฤทธิ์ chalcogenide (ปกติ Ge2–Sb2–Te5, GST) วัสดุ)ความสามารถในการเก็บข้อมูลสามารถทำได้จากความต้านทานแตกต่างระหว่างการไป (สูงทน) และเฟส (ต่ำความต้านทาน) ผลึกของโหน GST

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

pcram เทคโนโลยีใน chalcogenide อัลลอย(โดยปกติ, GE 2 - SB 2 - te5 , GST )วัสดุเชื่อมต่อใน)ที่จัดเก็บข้อมูลสามารถทำได้จากความสามารถในการต้านทานความแตกต่างระหว่างที่ไม่มีรูปร่างเป็นที่แน่นอน(สูง - ความต้านทาน)และคริสตัลส(ต่ำ - การต่อต้าน)ช่วงที่เรียกเก็บ GST โหนด