We fabricated the PA-8000 in HP’s 0

We fabricated the PA-8000 in HP’s 0.5-micron, 3.3-V CMOS
process. Although the drawn geometries are not very aggressive,
we still obtain a respectable 0.28-micron effective transistor-
channel length. In addition, we invested heavily in the
design process to ensure that both layout and circuits would
scale easily into more advanced technologies with smaller
geometries.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เราหลังสร้าง 8000 PA ใน CMOS 0.5 ไมครอน 3.3 V ของ HPกระบวนการ ถึงแม้ว่ารูปทรงเรขาคณิตที่วาดจะไม่ก้าวร้าวมากเรายังได้รับเกียรติ 0.28 ไมครอนมีประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์แบบช่องยาว นอกจากนี้ เราลงทุนอย่างมากในการออกแบบกระบวนการเพื่อให้แน่ใจว่า เค้าโครงและวงจรจะขนาดได้เป็นเทคโนโลยีที่ทันสมัยมากขึ้นมีขนาดเล็กรูปทรงเรขาคณิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เราประดิษฐ์ PA-8000 ของเอชพี 0.5 ไมครอน 3.3-V CMOS
กระบวนการ แม้ว่ารูปทรงเรขาคณิตที่วาดไม่ได้ก้าวร้าวมาก
เรายังคงได้รับการยกย่อง 0.28 ไมครอนมีประสิทธิภาพ transistor-
ระยะเวลาในช่อง นอกจากนี้เราลงทุนอย่างมากใน
ขั้นตอนการออกแบบเพื่อให้แน่ใจว่าทั้งสองรูปแบบและวงจรจะ
ปรับขนาดได้อย่างง่ายดายในมากขึ้นเทคโนโลยีขั้นสูงที่มีขนาดเล็ก
รูปทรงเรขาคณิต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เราประดิษฐ์ pa-8000 ใน HP 0.5-micron 3.3-v CMOS
, กระบวนการ แม้ว่าการวาดโครงสร้างไม่ก้าวร้าวมาก
เรายังได้รับเกียรติ 0.28-micron ประสิทธิภาพทรานซิสเตอร์ -
ช่องทาง ความยาว นอกจากนี้ เราได้ลงทุนอย่างมากใน
ออกแบบกระบวนการเพื่อให้แน่ใจว่า ทั้งรูปแบบและขนาดได้อย่างง่ายดายเป็นเทคโนโลยีวงจรจะ
ขั้นสูงที่มีโครงสร้างเล็ก