ZnO is a wide-band gap semiconducto

ZnO is a wide-band gap semiconductor with a direct band gap
energy of 3.37 eV and exciton bounding energy of 60 meV [1],
which is much larger than that of ZnSe (22 meV) and GaN
(25 meV).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ZnO เป็นสารกึ่งตัวนำช่องว่างทั้งวง มีวงตรงช่องว่างพลังงาน 3.37 eV และ exciton ขอบเขตพลังงาน 60 meV [1],ซึ่งมีขนาดใหญ่กว่าของ ZnSe (22 meV) และย่าน(25 meV)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ซิงค์ออกไซด์เป็นวงกว้างเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างที่มีช่องว่างวงโดยตรง
พลังงาน 3.37 eV และ exciton พลังงานวิ่ง 60 meV [1]
ซึ่งมีขนาดใหญ่กว่าของ ZnSe (22 meV) และกาน
(25 meV)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สารกึ่งตัวนำ ZnO เป็นวงกว้างช่องว่างกับวงตรงช่องว่างพลังงานของ 3.37
EV และ exciton จำกัดพลังงาน 60 MeV [ 1 ] ,
ซึ่งมีขนาดใหญ่กว่าของติ ( 22 MeV ) และกาน
( 25 MeV )