Results on Plasma Immersion Ion Imp

Results on Plasma Immersion Ion Implantation
(PIII) of nitrogen ions into a metal surface using
microwave plasma source are described. Preliminary
results in our benchtop PI11 system with microwave
source showed successful N+ implantation in an A1
sample but indicated the necessity of better plasma
optimization and confirmed a need for a high repetition
rate, negative high voltage pulser which is presently
under development.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลลัพธ์ในพลาสม่าแช่ไอออนฤทธิ์(PIII) ของประจุไนโตรเจนเข้าไปในตัวโดยใช้พื้นผิวโลหะอธิบายแหล่งพลาสม่าไมโครเวฟ เบื้องต้นผลเรา benchtop PI11 ระบบไมโครเวฟแหล่งที่พบฤทธิ์ N + ประสบความสำเร็จในการ A1ตัวอย่างระบุความจำเป็นในพลาสม่าดีกว่าแต่เพิ่มประสิทธิภาพ และยืนยันต้องการทำซ้ำสูงอัตรา pulser ลบไฟฟ้าแรงสูงที่เป็นปัจจุบันภายใต้การพัฒนา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

และผลการพลาสม่าแช่ไอออนเทียม
(PIII) ของไอออนไนโตรเจนเข้าไปในพื้นผิวโลหะโดยใช้
แหล่งที่มาพลาสม่าไมโครเวฟจะมีคำอธิบาย เบื้องต้น
ผลในระบบของเรา benchtop PI11 พร้อมไมโครเวฟ
แหล่งที่มาแสดงให้เห็นว่าประสบความสำเร็จ N + ฝังใน A1
ตัวอย่าง แต่ชี้ให้เห็นความจำเป็นของพลาสม่าที่ดีกว่า
การเพิ่มประสิทธิภาพและได้รับการยืนยันความจำเป็นในการทำซ้ำสูง
อัตรา pulser ไฟฟ้าแรงสูงเชิงลบซึ่งปัจจุบัน
อยู่ระหว่างการพัฒนา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การฝังไอออนในพลาสมาแช่
( piii ) ไนโตรเจนไอออนเป็นผิวโลหะโดยใช้แหล่งกำเนิดพลาสมาไมโครเวฟ
อธิบาย ผลเบื้องต้น
ในระบบ pi11 แบบตั้งโต๊ะของเรากับแหล่งเตาไมโครเวฟ
พบประสบความสำเร็จ N ปลูกฝังใน A1
ตัวอย่าง แต่แสดงความจำเป็นของการเพิ่มประสิทธิภาพของพลาสมา
ดีกว่า และยืนยันต้องการอัตราการซ้ำ
สูงลบไฟฟ้าแรงสูงพัลเซอร์ซึ่งปัจจุบัน
ภายใต้การพัฒนา