film electrode, closely spaced arou

film electrode, closely spaced around the pH-sensitive gate of the ISFET. Figure 7 shows the basic elements of such a device.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ขั้วไฟฟ้าฟิล์ม ระยะห่างรอบประตูของ ISFET ไวต่อค่า pH อย่างใกล้ชิด รูปที่ 7 แสดงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขั้วไฟฟ้าฟิล์มรอบระยะใกล้ประตูไวต่อค่า pH ของ ISFET รูปที่ 7 แสดงให้เห็นถึงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ขั้วไฟฟ้าฟิล์ม อย่างใกล้ชิดโดยรอบอ อ่อนไหว ประตูของ isfet . รูปที่ 7 แสดงองค์ประกอบพื้นฐานของอุปกรณ์ดังกล่าว .