A value of A higher than 2and a rel

A value of A higher than 2
and a relatively high Jo indicate that tunneling and
interface recombination are participating in the electron
and hole transport processes across the p-n junction
[30]. In the dark, the shunt conductance is close to the
lower end of the shunt conductance values reported
in the literature for planar CdS-CdTe solar cells [31].
This suggests that the interface structure is not a
significant contributor to the shunting effect.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ค่าของ A มากกว่า 2โจ้ที่ค่อนข้างสูงแสดงว่าทันเนล และอินเทอร์เฟซ recombination มีส่วนร่วมในอิเล็กตรอนและรูกระบวนการขนส่งข้ามเชื่อมต่อ p-n[30] ในมืด ต้านทานทางเชื่อมโพรงมีการต่ำสุดของค่าความต้านทานทางเชื่อมโพรงที่รายงานวรรณคดีสำหรับเซลล์แสงอาทิตย์ซี CdTe ระนาบ [31]นี้แนะนำว่า โครงสร้างของอินเทอร์เฟซไม่ได้เป็นผู้สนับสนุนที่สำคัญให้ผล shunting

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ค่าของที่สูงกว่า 2 และบ่งบอกถึงความสูงที่โจอุโมงค์และรวมตัวกันอีกอินเตอร์เฟซที่มีส่วนร่วมในอิเล็กตรอนและกระบวนการขนส่งข้ามทางแยกหลุมPN [30] ในความมืดที่เป็นสื่อกระแสไฟฟ้าปัดอยู่ใกล้กับปลายล่างของค่า conductance ปัดรายงานในวรรณคดีสำหรับภาพถ่ายซีดี-เซลล์แสงอาทิตย์CdTe [31]. นี้แสดงให้เห็นว่าโครงสร้างอินเตอร์เฟซที่ไม่ได้เป็นผู้มีส่วนร่วมสำคัญในการแบ่งผล

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มูลค่าสูงกว่า 2
และโจค่อนข้างสูง พบว่า การก่อสร้างอุโมงค์และ
อินเตอร์เฟซการมีส่วนร่วมในกระบวนการขนส่งอิเล็กตรอน
และหลุมใน p-n ชุมทาง
[ 30 ] ในที่มืด , shunt ความนำอยู่ใกล้กับปลายล่างของชั้น

ค่า conductance รายงานในวรรณคดีสำหรับระนาบซีดี cdte เซลล์แสงอาทิตย์ [ 31 ] .
นี้แสดงให้เห็นว่าโครงสร้าง interface ไม่ใช่
ผู้ที่สําคัญที่จะแบ่งผล