first layer is positively doped sil

first layer is positively doped siliconwafer.the doped silicon wafer is coated with an insulating layer of silicon dioxide.an ultraviolet-sensitive layer of photoresist is applied to the silicon dioxide surface.the first mask is placed over the wafer and ultraviolet light is projected on to the mask Areas of photoresist exposed to the light are hardened and those shielded remain soft.the soft photoresist is removed by wa shing with a solvent.the upper layer of the silicon dioxide is removed by hot gasses and solvent leaving silicon dioxide cover the entive wafer. a layer of polysilicon is then deposited on to the silicon dioxide(transistor's gate).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ชั้นแรกเป็นซิลิคอนเจือเจือบวก siliconwafer.the เวเฟอร์เคลือบ ด้วยเป็นชั้นของซิลิคอน dioxide.an ไวต่อรังสีอัลตราไวโอเลตชั้นเพียงใช้ไป surface.the ซิลิกอนไดออกไซด์ หน้ากากแรกอยู่บนเวเฟอร์ถูกฉายแสงอัลตราไวโอเลตบนหน้ากากของเพียงสัมผัสกับแสงจะแข็ง และผู้ป้องกันยังคง soft.the นุ่มเพียงจะถูกเอาออก โดย wa ชิง ด้วย solvent.the บนชั้นของซิลิกอนไดออกไซด์จะถูกเอาออก โดยก๊าซร้อน และตัวทำละลายออกจากฝาครอบซิลิกอนไดออกไซด์เวเฟอร์ entive จากนั้นมีฝากชั้น polysilicon สู่ซิลิกอนไดออกไซด์ (ประตูของทรานซิสเตอร์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชั้นแรกเป็นบวกเจือ siliconwafer.the เจือเวเฟอร์ซิลิคอนเคลือบด้วยชั้นฉนวนของชั้นอัลตราไวโอเลตที่มีความอ่อนไหวซิลิคอน dioxide.an ของไวแสงถูกนำไปใช้ซิลิคอนไดออกไซด์ surface.The หน้ากากแรกที่วางอยู่เหนือเวเฟอร์และรังสีอัลตราไวโอเลตแสงฉายบน เพื่อหน้ากากพื้นที่ของไวแสงสัมผัสกับแสงจะแข็งและผู้ที่ยังคงป้องกัน soft.the ไวแสงอ่อนจะถูกลบออกจากวาชิงกับชั้นบน solvent.the ของซิลิคอนไดออกไซด์จะถูกลบออกจากก๊าซร้อนและตัวทำละลายทิ้งซิลิคอนไดออกไซด์ครอบคลุม entive ขนมปังเวเฟอร์ ชั้นโพลีซิลิคอนจะฝากจากนั้นก็ไปซิลิคอนไดออกไซด์ (ที่ประตูของทรานซิสเตอร์)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชั้นแรก บวกด้วย siliconwafer.the เจือซิลิคอนเวเฟอร์เคลือบด้วยฉนวนชั้นของซิลิคอน dioxide.an รังสีอัลตราไวโอเลตที่มีชั้นของระบบที่ใช้กับซิลิคอนไดออกไซด์ surface.the แรกหน้ากากที่วางอยู่เหนือเวเฟอร์ และ แสงอัลตราไวโอเลตฉายบนหน้ากากพื้นที่ของระบบสัมผัสกับแสงจะแข็งและป้องกันอยู่ soft.the photoresist นุ่มออก โดย วา ชิงกับ solvent.the ชั้นบนของซิลิคอนไดออกไซด์ถูกเอาออกโดยก๊าซร้อนและตัวทำละลายออกจากปกแผ่นเวเฟอร์ซิลิคอนไดออกไซด์ entive . ชั้นของ polysilicon จึงฝากไปยังซิลิคอนไดออกไซด์ ( ทรานซิสเตอร์ประตู )