6. ConclusionA novel mechanistic mo

6. Conclusion
A novel mechanistic model of TMA + H2O ALD process is devel- oped in this study, which integrates the continuum transport pro- cesses in the ALD reactor with the detailed chemical processes on silicon wafer surface. The surface species variation within two pre- cursor pulses is simulated during ALD cycling operation .The model is validated using the experimental data under both 1 Torr and 0.8 Torr conditions. Upon the model validation, numerical studies are extensively performed with emphasis on the ALD process dynamics. Numerical results indicate that with sufficient precur- sors, the position diversity of the silicon wafer surface sites has little effect on the homogeneous alumina film growth in the experiment. By applying different operation temperature, the experimental and numerical results show that the ALD-grown film growth is determined by the temperature dependent surface reactions and gas flow in reactor. The modeling results of different system pressure indicate that suitably increasing ALD operation pressure can not only improve the completion of surface reactions in the cycling, but also improve the production of ALD grown film on the silicon wafer surface. The sensitivity analysis of surface reactions on the surface species formation and reaction duration is finally performed. It is found that |–OH, |–Al(CH3)2 and |–Al(CH3)1 have different degree of sensitivities to the surface reaction rates. It also shows that the related reaction time in TMA half cycles is very sensitive to the elementary reaction of |–Al(CH3)2 formation, while in the H2O half cycle, it is sensitive to both the adsorption rate of H2O and the elementary reaction of |–Al(CH3)1 formation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

6. บทสรุปA novel mechanistic model of TMA + H2O ALD process is devel- oped in this study, which integrates the continuum transport pro- cesses in the ALD reactor with the detailed chemical processes on silicon wafer surface. The surface species variation within two pre- cursor pulses is simulated during ALD cycling operation .The model is validated using the experimental data under both 1 Torr and 0.8 Torr conditions. Upon the model validation, numerical studies are extensively performed with emphasis on the ALD process dynamics. Numerical results indicate that with sufficient precur- sors, the position diversity of the silicon wafer surface sites has little effect on the homogeneous alumina film growth in the experiment. By applying different operation temperature, the experimental and numerical results show that the ALD-grown film growth is determined by the temperature dependent surface reactions and gas flow in reactor. The modeling results of different system pressure indicate that suitably increasing ALD operation pressure can not only improve the completion of surface reactions in the cycling, but also improve the production of ALD grown film on the silicon wafer surface. The sensitivity analysis of surface reactions on the surface species formation and reaction duration is finally performed. It is found that |–OH, |–Al(CH3)2 and |–Al(CH3)1 have different degree of sensitivities to the surface reaction rates. It also shows that the related reaction time in TMA half cycles is very sensitive to the elementary reaction of |–Al(CH3)2 formation, while in the H2O half cycle, it is sensitive to both the adsorption rate of H2O and the elementary reaction of |–Al(CH3)1 formation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

6. บทสรุป
รูปแบบกลไกนวนิยายของ TMA + H2O กระบวนการ ALD เป็นพัฒนาแล้วในการศึกษาครั้งนี้ซึ่งรวมกระบวนการผลิตการขนส่งต่อเนื่องในเครื่องปฏิกรณ์ ALD ด้วยกระบวนการทางเคมีรายละเอียดบนพื้นผิวซิลิกอนเวเฟอร์ การเปลี่ยนแปลงพื้นผิวชนิดภายในสองคลื่นเคอร์เซอร์ก่อนจำลองในระหว่างการดำเนินการขี่จักรยาน ALD รูปแบบได้โดยเริ่มต้นจะถูกตรวจสอบโดยใช้ข้อมูลการทดลองภายใต้ 1 Torr และ 0.8 เงื่อนไข Torr เมื่อการตรวจสอบรูปแบบการศึกษาเชิงตัวเลขจะดำเนินการอย่างกว้างขวางโดยเน้นการเปลี่ยนแปลงของกระบวนการมรกต ผลเชิงตัวเลขแสดงให้เห็นว่ามีความพอเพียงเพียงพอ Fi Sors precur-, ความหลากหลายตำแหน่งของซิลิกอนเวเฟอร์เว็บไซต์พื้นผิวมีผลกระทบเพียงเล็กน้อยต่อการเจริญเติบโตของ LM ไฟอลูมิเหมือนกันในการทดลอง โดยใช้อุณหภูมิการดำเนินงานที่แตกต่างกัน, ผลการทดลองและตัวเลขแสดงให้เห็นว่าการเจริญเติบโตของ LM ALD ปลูก Fi จะถูกกำหนดโดยอุณหภูมิพื้นผิวขึ้นอยู่กับปฏิกิริยาและก๊าซชั้นโอ๊ยในเครื่องปฏิกรณ์ ผลการสร้างแบบจำลองของระบบความดันที่แตกต่างกันแสดงให้เห็นว่าเหมาะสมเพิ่มความดันการดำเนินงาน ALD สามารถไม่เพียง แต่ช่วยเพิ่มความสมบูรณ์ของพื้นผิวที่เกิดปฏิกิริยาในการขี่จักรยาน แต่ยังปรับปรุงการผลิตของโต ALD Fi LM บนพื้นผิวซิลิกอนเวเฟอร์ การวิเคราะห์ความไวของปฏิกิริยาบนพื้นผิวการสร้างสายพันธุ์พื้นผิวและระยะเวลาในการทำปฏิกิริยาเป็น Fi Nally ดำเนินการ นอกจากนี้ยังพบว่า | -OH, | -Al (CH3) 2 และ | -Al (CH3) 1 มีระดับที่แตกต่างกันของความไวต่ออัตราการเกิดปฏิกิริยาพื้นผิว นอกจากนี้ยังแสดงให้เห็นว่าเวลาการเกิดปฏิกิริยาที่เกี่ยวข้องกับ TMA รอบครึ่งมากไวต่อปฏิกิริยาเบื้องต้นของ | -Al (CH3) 2 รูปแบบในขณะที่ใน H2O ครึ่งรอบจะมีความไวต่อทั้งอัตราการดูดซับของ H2O และปฏิกิริยาระดับประถมศึกษา ของ | -Al (CH3) 1 รูปแบบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

6 สรุป
รูปแบบกลไกใหม่ของ TMA H2O ald กระบวนการ devel oped - ในการศึกษานี้ซึ่งรวมต่อเนื่องขนส่งโปร - cesses ใน ald ปฏิกรณ์กับรายละเอียดกระบวนการเคมีบนพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอน ชนิดของพื้นผิวการเปลี่ยนแปลงภายในสองก่อนกะพริบเคอร์เซอร์ ) ในระหว่างการดำเนินงานจักรยาน ald .ส่วนแบบจำลองโดยใช้ข้อมูลทดลองภายใต้ทั้ง 1 ทอร์และ 0.8 ทอร์เงื่อนไข เมื่อรูปแบบการตรวจสอบการศึกษาเชิงตัวเลขอย่างกว้างขวางโดยเน้นกระบวนการ ald พลศาสตร์ ผลลัพธ์เชิงตัวเลขแสดงว่ากับซุฟจึง cient - ลูกชาย precur ,ตำแหน่งความหลากหลายของพื้นผิวแผ่นซิลิคอนเว็บไซต์มีผลเพียงเล็กน้อยต่อเป็นเนื้อเดียวกัน มินาจึง LM การเจริญเติบโตในการทดลอง โดยการใช้อุณหภูมิที่แตกต่างกันผลการทดลองและการคำนวณแสดงให้เห็นว่า การเติบโตจึง ald LM ถูกกำหนดโดยขึ้นอยู่กับอุณหภูมิพื้นผิวและปฏิกิริยาก๊าซflโอ๊ยในเครื่องปฏิกรณ์แบบจำลองผลของความดันของระบบที่แตกต่างกัน พบว่า สามารถเพิ่มแรงดัน ald สามารถไม่เพียง แต่เพิ่มความสมบูรณ์ของปฏิกิริยาผิวในจักรยาน แต่ยังปรับปรุงการผลิต ald โตจึง LM บนพื้นผิวเวเฟอร์ซิลิคอน การวิเคราะห์ปฏิกิริยาบนพื้นผิวพื้นผิวชนิดเกิดปฏิกิริยาจึงแนลลี่ และระยะเวลาดำเนินการพบว่า | –โอ้ | –อัล ( CH3 ) 2 และ | –อัล ( CH3 ) 1 องศาที่แตกต่างของความไวต่อพื้นผิวปฏิกิริยาอัตรา มันยังแสดงให้เห็นว่ามีปฏิกิริยาในรอบครึ่งก็อ่อนไหวมากกับปฏิกิริยาเบื้องต้นของ | –อัล ( CH3 ) 2 รูปแบบ ในขณะที่ใน H2O ครึ่งรอบ มันเป็นเรื่องละเอียดอ่อน ทั้งอัตราการดูดซับของ H2O และปฏิกิริยาเบื้องต้นของ | –อัล ( CH3 )
1 ข้อมูล