with different crystal growth rate.

with different crystal growth rate.
Firstly, Bi and Te atoms were sputtered and deposited on the
surface of substrate. Then, nucleation began and hexagonal islands
formed due to the anisotropic diffusion. Usually, for Bi2Te3 material,
the preferential growth of (0 1 5) crystal plane is easy to form
hexagonal flakes, while the preferential growth of (0 0 l) and (0 1 5)
crystal planes result in the formation of rods with oriented layer
rather than that of hexagonal flakes

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ที่มีอัตราการเจริญเติบโตที่แตกต่างกันคริสตัล.
ประการแรกอะตอม Bi และ Te ถูก sputtered และวางลงบน
พื้นผิวของพื้นผิว จากนั้นเริ่มนิวเคลียสและหมู่เกาะหกเหลี่ยม
เกิดขึ้นเนื่องจากการแพร่ anisotropic โดยปกติสำหรับวัสดุ Bi2Te3,
การเจริญเติบโตของการให้สิทธิพิเศษ (0 1 5) เครื่องบินคริสตัลเป็นเรื่องง่ายที่จะสร้าง
เกล็ดหกเหลี่ยมในขณะที่การเติบโตของการให้สิทธิพิเศษ (0 0 ลิตร) และ (0 1 5)
เครื่องบินคริสตัลส่งผลให้เกิดการก่อตัวของแท่งที่มีการมุ่งเน้น ชั้น
มากกว่าที่ของสะเก็ดหกเหลี่ยม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ด้วยอัตราการเติบโตของผลึกที่แตกต่างกัน .
ก่อนอื่น บี และ เต้ อะตอมเป็น sputtered และฝากบน
พื้นผิวของพื้นผิว แล้วขนาดเริ่มต้นและเกาะหกเหลี่ยม
เกิดขึ้นเนื่องจากการแพร่อุบ . โดยปกติ วัสดุ bi2te3
สิทธิพิเศษ , การเจริญเติบโตของ 0 1 5 ) เครื่องบินคริสตัลง่ายแบบฟอร์ม
เกล็ดหกเหลี่ยม ในขณะที่การเจริญเติบโตพิเศษ ( 0 0 ) และ ( 1
5 )ระนาบผลึกผลในการก่อตัวของแท่งวางชั้น
มากกว่าของเกล็ดหกเหลี่ยม