Introductio nNanostructur ed ZnO ma

Introductio n
Nanostructur ed ZnO materials have received broad attention due to their distingui shed performanc e in electronics, optics and photonics. ZnO is an n-type semiconduc tor with wurtzite structure has many useful propertie s, such as a large band gap (3.3 eV) and a high exciton binding energy (60 meV) which gives an efficient exciton emission at room temperat ure [1]. Many magneto-optic devices could be made from ZnO-base d diluted magnetic semiconductors (DMS) and spin electroni cs (Spintronics) is a practical technology based on such functional materials [2,3].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Introductio nวัสดุ ZnO Nanostructur ed ได้รับความสนใจกว้างเนื่องจากการ distingui โรง performanc อีอิเล็กทรอนิกส์ เลนส์ และโฟตอนิกส์ ZnO จะมีทอร์ semiconduc ชนิด n โครงสร้าง wurtzite มี s propertie ประโยชน์มาก ช่องว่างวงใหญ่ (3.3 eV) และพลังงานยึดเหนี่ยวสูง exciton (60 meV) ซึ่งช่วยให้การปล่อยก๊าซมีประสิทธิภาพ exciton ที่ห้อง temperat ure [1] อุปกรณ์เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแสงจำนวนมากสามารถทำจาก ZnO ฐาน d แตกออกแม่เหล็กอิเล็กทรอนิกส์ (DMS) และหมุน electroni cs (Spintronics) เป็นเทคโนโลยีปฏิบัติตามวัสดุเช่นทำงาน [2,3]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การแนะนำ n
Nanostructur ed วัสดุซิงค์ออกไซด์ได้รับความสนใจในวงกว้างเนื่องจากการ distingui ของพวกเขาหลั่ง performanc อีในอุตสาหกรรมอิเล็กทรอนิกส์, เลนส์และ Photonics ซิงค์ออกไซด์เป็นชนิดเอ็นทอร์ semiconduc มีโครงสร้าง wurtzite มีประโยชน์มากมาย propertie s เช่นช่องว่างวงดนตรีขนาดใหญ่ (3.3 eV) และ exciton สูงพลังงานยึดเหนี่ยว (60 meV) ซึ่งจะช่วยให้การปล่อยก๊าซที่มีประสิทธิภาพ exciton ณ ห้อง ure temperat [1] . หลายอุปกรณ์เครื่องกำเนิดไฟฟ้าแก้วนำแสงอาจจะทำจาก d ZnO ฐานเจือจางเซมิคอนดักเตอร์แม่เหล็ก (DMS) และหมุน electroni cs (Spintronics) เป็นเทคโนโลยีในทางปฏิบัติขึ้นอยู่กับวัสดุการทำงานเช่น [2,3]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

introductio n
nanostructur เอ็ด ZnO วัตถุดิบได้รับความสนใจในวงกว้าง เนื่องจาก distingui ของพวกเขาหลั่ง performanc E ในอิเล็กทรอนิกส์ , เลนส์และ Photonics . ซิงค์ออกไซด์เป็นทั่วไป semiconduc โต๋กับโครงสร้าง wurtzite มีหลายประโยชน์ propertie s เช่นช่องว่างแถบขนาดใหญ่ ( 3.3 EV ) และ exciton สูงพลังงานยึดเหนี่ยว ( 60 MeV ) ซึ่งจะช่วยให้ประสิทธิภาพในการ exciton เตาอุณหภูมิในห้องน. [ 1 ]หลายอุปกรณ์ที่สามารถทำจากแมกนีโตแสงสารกึ่งตัวนำ ZnO เจือจางแม่เหล็กฐาน D ( DMS ) และหมุน ELECTRONI CS ( spintronics ) เป็นเทคโนโลยีในทางปฏิบัติตามเช่นการทำงานวัสดุ [ 2 , 3 ]