In the bright-field TEM image of th

In the bright-field TEM image of the Ni–SiCNP composite milled for 24 h, it can be seen that the dispersed SiCNP are located either in the matrix, within twin boundary sites or on GB, as shown in Fig. 7. Stacking faults are also observed in the Ni–SiCNP composites, because the addition of SiCNP to the nickel matrix results in an overall reduction in stacking fault energy (SFE). Moreover, Fig. 7 also provides the evidence of the interaction between the dislocation lines and the SiCNP, where the latter aids to hinder dislocation motion.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในรูปยการสว่างเขตข้อมูลของคอมโพสิต Ni – SiCNP ปลายใน 24 ชม จะเห็นได้ว่า SiCNP กระจัดกระจายอยู่ ใน เมตริกซ์ ภาย ในไซต์ขอบเตียง หรือ GB ดังที่แสดงใน Fig. 7 ยังจะสังเกตข้อบกพร่องซ้อนในคอมโพสิต Ni – SiCNP เนื่องจากการเพิ่ม SiCNP กับเมทริกซ์นิกเกิลส่งผลในการลดพลังงานบกพร่องซ้อน (SFE) โดยรวม นอกจากนี้ Fig. 7 ยังให้หลักฐานการโต้ตอบระหว่างบรรทัดเคลื่อนและ SiCNP ที่เอดส์หลังขัดเคลื่อนเคลื่อนไหว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในภาพ TEM สดใสด้านการประกอบ Ni-SiCNP ข้าวสารเป็นเวลา 24 ชั่วโมงก็จะเห็นได้ว่า SiCNP กระจายอยู่ทั้งในเมทริกซ์ภายในเว็บไซต์เขตแดนคู่หรือ GB, ดังแสดงในรูป 7. ความผิดพลาดซ้อนมีการสังเกตยังอยู่ในคอมโพสิต Ni-SiCNP เพราะนอกเหนือจาก SiCNP ผลเมทริกซ์นิกเกิลลดลงโดยรวมในการซ้อนพลังงานผิด (SFE) นอกจากนี้ยังมีรูป 7 นอกจากนี้ยังมีหลักฐานของการทำงานร่วมกันระหว่างสายการเคลื่อนที่และ SiCNP ที่ช่วยหลังจะขัดขวางการเคลื่อนไหวเคลื่อนที่

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในพื้นที่สว่างเต็มรูปของฉัน– sicnp ผสมข้าวสาร 24 ชั่วโมง จะเห็นได้ว่า การกระจาย sicnp ตั้งอยู่ทั้งในเมทริกซ์ภายในเว็บไซต์เขตแฝด หรือ GB , ดังแสดงในรูปที่ 7 เรียงผิดเป็นยังพบในฉัน– sicnp คอมโพสิต เพราะนอกจาก sicnp กับนิกเกิล เมทริกซ์ มีผลในการลดซ้อนผิด ( เทคโนโลยีพลังงาน ) นอกจากนี้ ภาพประกอบ7 ยังให้หลักฐานของการปฏิสัมพันธ์ระหว่างเคลื่อนเส้นและ sicnp ที่เอดส์หลังเพื่อขัดขวาง เคลื่อน ไหว