This bandgap change indicates the p

This bandgap change indicates the possibility of selectively depositing an optically transparent Cu2O-rich film, an absorbing black CuO-rich film or a mixture of both phases by varying the rf power during deposition. The oxygen flow rate during deposition had a less significant effect on the optical transmittance and bandgap of the films. This dependence of the stoichiometry of the copper oxide films on the deposition conditions is explained in terms of the sticking coefficient, nucleation rates and migration of impinging copper and oxygen species on the substrate.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เปลี่ยนแปลง bandgap นี้บ่งชี้ว่า สามารถเลือกฝากฟิล์ม Cu2O ที่อุดมไปด้วยความโปร่งใสโดย ฟิล์มมี CuO รวยดำดูดซับ หรือส่วนผสมของทั้งสองขั้นตอนโดยใช้พลังงาน rf ที่แตกต่างกันในระหว่างสะสม อัตราการไหลออกซิเจนในระหว่างสะสมได้น้อยผลกระทบส่งแสงและ bandgap ของภาพยนตร์ พึ่งนี้ของ stoichiometry ฟิล์มออกไซด์ทองแดงสะสมเงื่อนไขจะมีอธิบายในแง่ของค่าสัมประสิทธิ์ sticking ราคา nucleation และโยกย้ายของ impinging พันธุ์ทองแดงและออกซิเจนบนพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปลี่ยนแปลง bandgap นี้แสดงให้เห็นความเป็นไปได้ของการคัดเลือกฝากภาพยนตร์ Cu2O ที่อุดมไปด้วยความโปร่งใสแสง, ฟิล์มออกไซด์ที่อุดมไปด้วยการดูดซับสีดำหรือมีส่วนผสมของทั้งสองขั้นตอนที่แตกต่างกันโดยใช้พลังงาน RF ในช่วงสะสม อัตราการไหลของออกซิเจนในระหว่างการสะสมมีผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญน้อยลงในการส่งผ่านแสงและ bandgap ของภาพยนตร์ พึ่งพาอาศัยกันของปริมาณสารสัมพันธ์ของภาพยนตร์ออกไซด์ทองแดงกับเงื่อนไขการสะสมนี้จะมีการอธิบายในแง่ของค่าสัมประสิทธิ์การติดอัตรานิวเคลียสและการย้ายถิ่นของกระทบทองแดงและออกซิเจนชนิดบนพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นี้ bandgap เปลี่ยนแสดงความเป็นไปได้ของการเลือกฝากเงินด้านข้างโปร่งใส cu2o รวยกับรวย 2 ( ฟิล์มดำฟิล์มหรือส่วนผสมของทั้งสองขั้นตอนโดยเปลี่ยนพลังงาน RF ในการ อัตราการไหลของออกซิเจนในการได้ผลน้อยในการส่งผ่านแสง และ bandgap ของภาพยนตร์ นี้การพึ่งพาของปริมาณสัมพันธ์ของทองแดงออกไซด์ฟิล์มบนเงื่อนไขการจะอธิบายในแง่ของการผสานระหว่างอัตราการฉีดและขนาดของทองแดงชนิดออกซิเจนบนพื้นผิว