On the other hand, NOR Flash memori

On the other hand, NOR Flash memories are capable of a very fast read access
time (less than 100 ns); they offer a programming time which is comparable to that
of the NAND (but the amount of programmed bit per operation is considerably
smaller) but they feature an erase time which is some order of magnitudes higher
than the NAND. For these reasons, and due to the capability to “execute in place”
(XIP), NOR Flash memories are more suitable for code storage and they will not be
considered in the following sections.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในทางตรงกันข้าม, NOR
ความทรงจำแฟลชที่มีความสามารถของการเข้าถึงแบบอ่านอย่างรวดเร็วเวลา(น้อยกว่า 100 นาโนวินาที); พวกเขามีเวลาเขียนโปรแกรมซึ่งเทียบได้กับที่ของ NAND (แต่ปริมาณของโปรแกรมบิตต่อการดำเนินงานเป็นอย่างมากที่มีขนาดเล็ก) แต่พวกเขามีเวลาที่ลบซึ่งเป็นคำสั่งบางส่วนของขนาดที่สูงกว่า NAND ด้วยเหตุผลเหล่านี้และเนื่องจากความสามารถในการ "การดำเนินการในสถานที่" (XIP) NOR ความทรงจำแฟลชที่มีความเหมาะสมมากขึ้นสำหรับการจัดเก็บรหัสและพวกเขาจะไม่ได้รับการพิจารณาในส่วนต่อไปนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บนมืออื่น ๆและความทรงจำแฟลชสามารถอย่างรวดเร็วอ่านเข้า
( น้อยกว่า 100 ns ) ; พวกเขามีโปรแกรมเวลา ซึ่งเทียบได้กับ
ของแล้ว ( แต่จำนวนโปรแกรมบิตต่อการดำเนินงานมาก
เล็กกว่า ) แต่พวกเขาคุณลักษณะลบเวลาที่มีบางลำดับขนาดสูง
กว่าแล้ว . ด้วยเหตุผลเหล่านี้และเนื่องจากความสามารถในการ " รันอิน "
( xip ) และความทรงจำแฟลชมีความเหมาะสมมากขึ้นสำหรับการจัดเก็บรหัสและพวกเขาจะไม่ถูก
ถือว่าในส่วนต่อไปนี้