during thelaser switch on and off.

during the
laser switch on and off. Compared to studies in literature that
report increasing resistivity of graphene over temperature [6-
8], we measured a decrease in resistivity that consequently
increases the conductivity when the laser source is on. Our
hypothesis is that the increase of resistivity because of the
temperature rise is largely compensated by its decrease under
IR laser. Thus photon effect should be discussed.
We further analyzed the absorbed IR gated transport
behavior. The notion of normalized change of IR reflectivity -
δR/R versus photon energy for a representative graphene
monolayer and bilayer can be applied. Note that -δR/R is
related to the complex optical conductivity σ (ω) of graphene
through the relation

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในช่วงที่สวิทช์เลเซอร์ในและนอก เมื่อเทียบกับการศึกษาในวรรณคดีที่รายงานการเพิ่มความต้านทานของกราฟีนในช่วงอุณหภูมิ [6 8] เราวัดการลดลงของความต้านทานที่มักจะทำให้เกิดการเพิ่มขึ้นของการนำเมื่อแหล่งเลเซอร์ที่อยู่บน เราสมมติฐานว่าการเพิ่มขึ้นของความต้านทานเพราะของอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นส่วนใหญ่จะได้รับการชดเชยจากการลดลงของตนภายใต้IR เลเซอร์ ดังนั้นผลโฟตอนควรจะกล่าว. เรายังวิเคราะห์ดูดซึมขนส่งรั้วรอบขอบชิด IR พฤติกรรม ความคิดของการเปลี่ยนแปลงปกติสะท้อนนักลงทุนสัมพันธ์ - δR / R เมื่อเทียบกับพลังงานโฟตอนเป็นตัวแทน graphene monolayer bilayer และสามารถนำมาใช้ โปรดทราบว่า-δR / R คือการที่เกี่ยวข้องกับการนำแสงที่ซับซ้อนσ (ω) ของกราฟีนผ่านความสัมพันธ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ระหว่าง
เลเซอร์สลับในและนอก เมื่อเปรียบเทียบกับการศึกษาวรรณกรรมที่รายงานการเพิ่มค่าความต้านทานจำเพาะของกราฟีนกว่าอุณหภูมิ [ 6
8 ] เราวัดค่าความต้านทานที่ลดลงจึง
เพิ่มการนำเมื่อเลเซอร์ที่มาอยู่ใน สมมติฐานของเราคือ การเพิ่มขึ้นของความต้านทาน

เพราะอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้น ส่วนใหญ่เป็น การชดเชยโดยการลดภายใต้
อินฟราเรดเลเซอร์ดังนั้นโฟตอน ผลควรปรึกษา .
เรายังวิเคราะห์ดูดซึม IR gated พฤติกรรมการขนส่ง

ความคิดของรูปเปลี่ยน IR สะท้อน -
δ r / R เมื่อเทียบกับพลังงานโฟตอนที่ตัวแทนและกราฟีน
อย่างสองชั้นสามารถใช้กับ หมายเหตุ - δ R / R
เกี่ยวข้องกับσแสงความซับซ้อน ( ω ) ของกราฟีน
ผ่านความสัมพันธ์