The authors report on the use of th

The authors report on the use of the HF anodic etching technique to realize monocrystalline silicon microstructures. As it has been established that the rate of the silicon etching reactions is mainly governed by the availability of holes at the silicon surface which is in contact with the etching solution, the definition of the geometry of microstructures can be accomplished by methods which affect the hole concentration locally. It is demonstrated that the methods which exploit the sharp selectivity of HF anodic etching between p-Si and n-Si show good potential and can be used to manufacture suspended beams, making use of masked implantation of phosphorus for geometry definition. It is concluded that this technology offers new opportunities in the field of micromachining of silicon for micromechanical applications

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผู้เขียนรายงานการใช้เทคนิคการกัด anodic HF ตระหนัก monocrystalline ซิลิคอน microstructures ขณะนั้นก่อตั้งขึ้นที่อัตราของซิลิคอนปฏิกิริยาการแกะสลักส่วนใหญ่ควบคุม โดยการมีอยู่ของหลุมที่พื้นผิวซิลิกอนซึ่งกับการแก้ปัญหาการกัด คำจำกัดความของเรขาคณิตของ microstructures สามารถทำได้ โดยวิธีการซึ่งส่งผลต่อความเข้มข้นหลุมภายใน แต่จะแสดงว่า วิธีการที่ใช้วิธีคมของ HF anodic แกะสลักระหว่างพีซีและซีเอ็นแสดงศักยภาพที่ดี และสามารถใช้ในการผลิตคานระงับ ใช้ฤทธิ์หลอกลวงของฟอสฟอรัสสำหรับคำนิยามเรขาคณิต จะสรุปได้ว่า เทคโนโลยีนี้มีโอกาสใหม่ใน micromachining ของซิลิคอนสำหรับโปรแกรมประยุกต์ micromechanical

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผู้เขียนรายงานเกี่ยวกับการใช้เทคนิค anodic HF การแกะสลักที่จะตระหนักถึงจุลภาค monocrystalline ซิลิคอน ตามที่ได้รับการจัดตั้งขึ้นว่าอัตราการเกิดปฏิกิริยาการแกะสลักซิลิคอนเป็นหน่วยงานหลักมาจากความพร้อมของหลุมที่พื้นผิวซิลิกอนที่อยู่ในการติดต่อกับการแก้ปัญหาการกัดนิยามของรูปทรงเรขาคณิตของจุลภาคสามารถทำได้โดยวิธีการซึ่งส่งผลกระทบต่อหลุม ความเข้มข้นในระดับท้องถิ่น มันเป็นเรื่องที่แสดงให้เห็นว่าวิธีการที่ใช้ประโยชน์จากการเลือกความคมชัดของการแกะสลัก HF anodic ระหว่าง P-Si และ n-Si แสดงศักยภาพที่ดีและสามารถนำมาใช้ในการผลิตคานระงับการใช้ประโยชน์จากการฝังสวมหน้ากากของฟอสฟอรัสสำหรับคำนิยามของรูปทรงเรขาคณิต ซึ่งสรุปได้ว่าเทคโนโลยีนี้มีโอกาสใหม่ในฟิลด์ของไมโครซิลิกอนสำหรับการใช้งาน Micromechanical

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รายงานของผู้เขียนในการใช้เทคนิคการกัดของ HF ตระหนัก monocrystalline ซิลิคอนและ . มันได้ก่อตั้งขึ้นที่อัตราของปฏิกิริยาการกัดซิลิคอนเป็นหลักปกครอง โดยความพร้อมของหลุมที่ผิวซิลิคอนซึ่งอยู่ในการติดต่อกับการแก้ความหมายของเรขาคณิตโครงสร้างสามารถทำได้โดยวิธีการซึ่งส่งผลกระทบต่อหลุมสมาธิภายใน มันแสดงให้เห็นว่าวิธีการที่ใช้ประโยชน์จากการกัดระหว่างการ p-si คมของ HF และ n-si แสดงศักยภาพที่ดีและสามารถใช้ในการผลิตแขวนคาน ใช้หน้ากาก implantation ของฟอสฟอรัสในความหมายทางเรขาคณิตสรุปได้ว่า เทคโนโลยีนี้มีโอกาสใหม่ในฟิลด์ของ micromachining ซิลิคอนสำหรับการใช้งาน micromechanical