SputteringSputtering, like evaporat

Sputtering
Sputtering, like evaporation, is performated in a vacuum chamber. The source material and the substrate (wafer) and placed on opposing parallel plates connected to a high-voltage power supply as pictured in Fig.4.13. During a deposition the chamber is fist evacuated
Figure4.13 schematic of a d.c. sputtering system. The source material covers the cathode while the wafer is mounted on the system anode. (From Jaeger 1988 by Addison-wesley Publishing Co., Inc. Reprinted by permission of the publisher.) of air and then a low-pressure amount of sputtering gas, typically Ar, is admitted in to the chamber. Applying an interelectrode voltage ionizes the Ar gas and creates a plasma between the plates. Since the plate covered with source material is maintained at the necative potential relative to the substrate, Ar* irons accelerated toward and into the source covered plate. The impacting Ar* irons are in turn cause source atoms or moreculas to be ejected from this plate. Being neutral, the ejected atoms or molecules readily traval to the substrate where they deposit to from the desired thin firm. A d.c. power supply can be used when depositing metals, and an RF supply is necessary to in traduce a gas of one of the components to assure the formation of a near- stoichiometric film. Providing low-temperature , low-contamination film with and acceptable throuthput , sputtering has become the chief commercial methord of depositing Al and other metals.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สปัตเตอร์สปัตเตอร์ เช่นระเหย performated ในห้องสุญญากาศได้ แหล่งวัสดุ และพื้นผิว (เวเฟอร์) และวางไว้บนแผ่นขนานตรงข้ามเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟแรงดันสูงเป็นภาพใน Fig.4.13 ในระหว่างที่สะสม ในห้องเป็นกำปั้นที่อพยพSchematic Figure4.13 ของดีซีที่ระบบสปัตเตอร์ วัสดุแหล่งครอบคลุมแคโทดขณะเวเฟอร์ติดตั้งบนระบบขั้วบวก (จาก 1988 Jaeger โดยเวสลีย์แอดดิสันประกาศ Co., Inc. Reprinted โดยสิทธิ์ของผู้เผยแพร่) ของอากาศ แล้วจำนวนสปัตเตอร์ก๊าซมีแรงดันต่ำ โดยทั่วไป Ar จะเข้าในห้อง ใช้แรงดันไฟฟ้า interelectrode การฟอกแก๊ส Ar และสร้างพลาระหว่างแผ่น ตั้งแต่แผ่นที่ปกคลุม ด้วยวัสดุแหล่งไว้ที่ necative อาจเกิดขึ้นเมื่อเทียบกับพื้นผิว Ar * เตารีดเร่งต่อ และเป็นแหล่งรวมแผ่น Impacting Ar * เหล็กอยู่ในสาเหตุแหล่งที่มาของอะตอมหรือ moreculas จะออกจากจานนี้ เป็นกลาง เลื่อนอะตอมหรือโมเลกุล traval พร้อมกับพื้นผิวที่พวกเขาฝากเงินไปยังที่ที่ต้องการจากบางบริษัท สามารถใช้เป็นแหล่งจ่ายไฟดีซีฝากโลหะ และอุปทาน RF จำเป็นต้องใน traduce ก๊าซของคอมโพเนนต์เพื่อให้มั่นใจการก่อตัวของใกล้ - stoichiometric ภาพยนตร์อย่างใดอย่างหนึ่ง ให้ อุณหภูมิต่ำ ต่ำปนด้วยฟิล์มและยอม throuthput สปัตเตอร์ได้กลายเป็น methord พาณิชย์ประธานของฝากอัลและโลหะอื่น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สปัตเตอร์
สปัตเตอร์เช่นการระเหยเป็น performated ในห้องสูญญากาศ วัสดุแหล่งที่มาและสารตั้งต้น (เวเฟอร์) และวางตรงข้ามแผ่นขนานเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟแรงดันสูงเป็นภาพใน Fig.4.13 ในช่วงการสะสมห้องเป็นกำปั้นอพยพ
Figure4.13 แผนผังของระบบ DC สปัตเตอร์ แหล่งข้อมูลครอบคลุมแคโทดขณะเวเฟอร์ติดตั้งบนระบบขั้วบวก (จาก Jaeger ปี 1988 โดยสำนักพิมพ์โค Addison-Wesley, Inc พิมพ์ซ้ำโดยได้รับอนุญาตจากสำนักพิมพ์.) ของอากาศแล้วเป็นจำนวนเงินที่ความดันต่ำของก๊าซสปัตเตอร์โดยทั่วไป Ar จะเข้ารับการรักษาในห้อง การใช้แรงดันไฟฟ้า interelectrode ionizes ก๊าซ Ar และสร้างพลาสม่าระหว่างแผ่นเปลือกโลกที่ ตั้งแต่แผ่นปกคลุมด้วยวัสดุที่มาจะคงที่เมื่อเทียบศักยภาพ necative กับพื้นผิว, Ar เตารีด * เร่งไปทางและเข้าไปในแผ่นแหล่งที่มาปกคลุม ส่งผลกระทบต่อเตารีด * Ar อยู่ในการเปิดสาเหตุอะตอมแหล่งที่มาหรือ moreculas ที่จะพุ่งออกมาจากแผ่นนี้ เป็นเป็นกลางอะตอมหรือโมเลกุลที่ถูกขับออกมาพร้อมกับพื้นผิว Traval ที่พวกเขาฝากเงินจาก บริษัท บางที่ต้องการ แหล่งจ่ายไฟ DC สามารถนำมาใช้เมื่อฝากโลหะและอุปทาน RF เป็นสิ่งที่จำเป็นในการใส่ร้ายก๊าซของหนึ่งในองค์ประกอบที่ให้ความมั่นใจในการก่อตัวของฟิล์ม stoichiometric จาหน่าย ให้อุณหภูมิต่ำฟิล์มต่ำปนเปื้อนและ throuthput ยอมรับสปัตเตอร์ได้กลายเป็น methord พาณิชย์หัวหน้าของฝากอัลและโลหะอื่น ๆ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สปัตเตอริงสปัตเตอร์ริง เช่น การระเหย คือ performated ในสูญญากาศ . แหล่งวัสดุและพื้นผิว ( wafer ) และวางไว้บนจานตรงข้ามขนานเชื่อมต่อกับแหล่งจ่ายไฟแรงดันสูงเป็นภาพใน fig.4.13 . ในช่วงของห้องคือ หมัดอพยพfigure4.13 แผนผังของ ดี.ซี. สปัตเตอร์ระบบ แหล่งวัสดุหุ้มแคโทดในขณะที่เวเฟอร์ติดตั้งบนขั้วไฟฟ้าระบบ ( จาก Jaeger 1988 โดยแอดดิสันเวสลีย์ Publishing Co . , Inc . พิมพ์โดยได้รับอนุญาตจากสำนักพิมพ์ ) ของอากาศ และความดันต่ำ ปริมาณของก๊าซโดยทั่วไปส , อาร์ เป็นที่ยอมรับกันในห้อง ใช้แรงดันก๊าซ interelectrode ionizes AR และสร้างพลาสมาระหว่างจาน เนื่องจากแผ่นปกคลุมด้วยวัสดุแหล่งจะยังคงที่ necative ศักยภาพเทียบกับพื้นผิวเหล็ก AR * เร่งต่อ และในแหล่งที่ครอบคลุมป้าย ที่มีอิทธิพลต่อ AR * เตารีดจะเปิดสาเหตุแหล่งอะตอมหรือ moreculas จะพุ่งออกจากแผ่นนี้ การเป็นกลาง แต่อะตอมหรือโมเลกุลพร้อมการเดินทางไปยังพื้นผิวที่พวกเขาฝากไปจากที่ต้องการบาง บริษัท เป็น DC Power Supply ที่สามารถใช้เมื่อนำโลหะและ RF ที่จัดหาต้องใน ^ ^ ก๊าซของส่วนประกอบเพื่อให้มั่นใจการก่อตัวของฟิล์ม - stoichiometric ใกล้ . ให้อุณหภูมิต่ำ , การปนเปื้อนและภาพยนตร์กับ throuthput ยอมรับสได้กลายเป็น methord พาณิชย์หัวหน้าฝากล และโลหะอื่น ๆ