RESULTSTemperature measurements wer

RESULTS
Temperature measurements were made using a custom-built
apparatus, as shown in Fig. 5, using a Ni-Fe thermistor with
±0.1 ◦C accuracy from −240 ◦C to +260 ◦C. Resistors measuring
100 Ω and rated at 5 W were used to heat the enclosed
space to 80 ◦C (measured in 2 ◦C increments by attaching the
thermistor to the chip), and temperatures down to 5 ◦C were
measured in an ice bath. System performance is summarized
in Table II. The reported energy is the product of the sample
latency and average power while the sensors are active and
depends on the operating temperature. (The reported power and
energy are at 27 ◦C.)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ผลลัพธ์อุณหภูมิวัดได้ทำการใช้การมาเครื่องมือ เป็นแสดงใน Fig. 5, thermistor Ni-Fe กับการใช้±0.1 ◦C แม่นยำจาก −240 ◦C +260 ◦C วัด resistors100 Ω และได้รับคะแนนที่ 5 W ใช้ความร้อนที่แนบเนื้อที่ 80 ◦C (วัดที ◦C 2 โดยแนบแบบthermistor ไปชิป), และอุณหภูมิลง 5 ◦Cวัดในอ่างอาบน้ำเป็นน้ำแข็ง มีสรุปผลในตารางที่สอง พลังงานที่รายงานเป็นสินค้าตัวอย่างเวลาแฝงและค่าเฉลี่ยพลังงานในขณะใช้งานเซนเซอร์ และขึ้นอยู่กับอุณหภูมิการทำงาน (พลังงานรายงาน และพลังงานได้ที่ 27 ◦C)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลการตรวจวัดอุณหภูมิที่ถูกสร้างขึ้นโดยใช้กำหนดเองที่สร้างเครื่องมือดังแสดงในรูป 5 โดยใช้เทอร์มิสเตอร์ Ni-Fe ที่มีความถูกต้อง± 0.1 ◦Cจาก -240 ◦Cไป 260 ◦C ตัวต้านทานวัด100 Ωและอันดับที่ 5 วัตต์ถูกนำมาใช้เพื่อให้ความร้อนล้อมรอบพื้นที่ถึง80 ◦C (วัด 2 เพิ่มขึ้นโดย◦Cติดเทอร์มิสเตอร์ชิป) และอุณหภูมิลดลงถึง 5 ◦Cถูกวัดในอ่างน้ำแข็ง ประสิทธิภาพของระบบคือการสรุปในตารางที่สอง พลังงานรายงานเป็นผลิตภัณฑ์ของกลุ่มตัวอย่างแฝงและพลังงานเฉลี่ยในขณะที่เซ็นเซอร์ที่มีการใช้งานและขึ้นอยู่กับอุณหภูมิในการทำงาน (อำนาจรายงานและพลังงานอยู่ที่ 27 ◦C.)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

อุณหภูมิวัดได้โดยใช้ผล

อุปกรณ์สินค้า ดังแสดงในรูปที่ 5 ใช้นิเฟ thermistor ด้วย
± 0.1 ◦ C ความถูกต้องจาก− 240 ◦ C ถึง 260 องศาเซลเซียส ตัววัด◦
100 Ωและคะแนนที่ 5 W คือใช้ความร้อนล้อมรอบ
พื้นที่ 80 ◦ C ( วัดใน 2 ◦ C เพิ่มขึ้นโดยแนบ
thermistor กับชิป ) , และอุณหภูมิลงเหลือ 5 ◦ C )
วัดในน้ำแข็ง อาบประสิทธิภาพของระบบจะสรุป
ในตารางที่ 2 รายงานพลังงานเป็นผลิตภัณฑ์ของตัวอย่าง
ศักยภาพและพลังงานเฉลี่ยในขณะที่เซ็นเซอร์ที่ใช้งานอยู่ และ
ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิสูง . ( รายงานพลังงานและพลังงานอยู่ที่ 27 ◦
c .