The conventional dynamic switching

The conventional dynamic switching performance
IGBT module test platform in Fig.2 uses the double-pulse
method. The platform is composed of high power P-i-N
diode DM, switch SM with anti-parallel diode, and a load
inductor Lload. The inductor Lload is energized to build the
desired current at a certain bus voltage in the first pulse.
When the second turn on pulse is applied to switch SM, the
switching waveforms, such as the gate driver signal, the
chip temperature, collector voltage and collector current of
the switch can be captured to evaluate power device
switching performance [13]. The TSEPs of the high power
diodes can also be measured and extracted with this singleended
chopper test platform because the dynamic switching
performance of the power diodes is intertwined with that of
the IGBTs.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ประสิทธิภาพการสลับแบบไดนามิกแพลตฟอร์มทดสอบ module IGBT ใน Fig.2 ใช้ชีพจรคู่วิธีการ แพลตฟอร์มประกอบด้วยพลังงานสูง P-i-Nไดโอด DM สลับ SM มีไดโอดป้องกันขนาน โหลดมือ Lload มือ Lload เป็นพลังงานในการสร้างการปัจจุบันต้องที่บางรถแรงในการหมุนครั้งแรกเมื่อเปิดที่สองบนชีพจรกับสวิตช์ SM การสลับ waveforms เช่นสัญญาณควบคุมประตู การชิพอุณหภูมิ แรงดันไฟฟ้าของตัวเก็บรวบรวม และสะสมปัจจุบันของสามารถบันทึกการประเมินอุปกรณ์ไฟฟ้าสวิตช์สลับประสิทธิภาพ [13] TSEPs พลังงานสูงนอกจากนี้ยังสามารถวัด และสกัด ด้วย singleended นี้ไดโอดได้chopper แพลตฟอร์มทดสอบเนื่องจากสลับแบบไดนามิกประสิทธิภาพของไดโอดได้กำลังจะเจอกับที่IGBTs

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลการดำเนินงานการเปลี่ยนการชุมนุมแบบไดนามิกโมดูล IGBT แพลตฟอร์มการทดสอบในรูปที่ 2 ใช้คู่ชีพจรวิธี แพลตฟอร์มประกอบด้วย PIN พลังงานสูงไดโอดDM สลับกับเอสเอ็มไดโอดป้องกันขนานและโหลดเหนี่ยวนำLload Lload เหนี่ยวนำเป็นพลังในการสร้างปัจจุบันที่ต้องการแรงดันรถบัสบางอย่างในชีพจรแรก. เมื่อเปิดที่สองในชีพจรถูกนำไปใช้ในการสลับเอสเอ็มที่คลื่นเปลี่ยนเช่นสัญญาณคนขับประตูที่อุณหภูมิชิปแรงดันสะสมและเก็บในปัจจุบันของสวิทช์จะถูกจับในการประเมินอุปกรณ์ที่ใช้กำลังเปลี่ยนประสิทธิภาพ[13] TSEPs ของพลังงานที่สูงไดโอดยังสามารถวัดและสกัดด้วยsingleended นี้แพลตฟอร์มการทดสอบสับเพราะการเปลี่ยนแบบไดนามิกประสิทธิภาพการทำงานของไดโอดไฟพันกับที่ของIGBTs

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แบบไดนามิกเปลี่ยนการแสดง
IGBT โมดูลแพลตฟอร์มทดสอบใน fig.2 ใช้วิธีชีพจร
คู่ แพลตฟอร์มประกอบด้วย DM ไดโอดพลังงาน p-i-n
สูงสลับ SM กับไดโอดป้องกันแบบขนาน และการ lload โหลด
. ตัวเหนี่ยวนํา lload เป็น energized เพื่อสร้าง
ที่ต้องการปัจจุบันแรงดันบัสบางอย่างในชีพจรก่อน .
เมื่อเปิดที่สองในชีพจรใช้สลับ SM
เปลี่ยนรูปคลื่น เช่นประตูคนขับสัญญาณ
ชิ อุณหภูมิ แรงดัน และกระแสของนักสะสม
สวิตช์จะจับไปประเมินพลังงานอุปกรณ์
สลับการแสดง [ 13 ] การ tseps ของพลังงานสูง
ไดโอดยังสามารถวัดและสกัดด้วย singleended

สับแพลตฟอร์มทดสอบเพราะเปลี่ยนแบบไดนามิกประสิทธิภาพของเพาเวอร์ไดโอด เป็นพันกับของ igbts
.