A. R-Dump ConverterR-dump is one of

A. R-Dump Converter
R-dump is one of the configurations which have
one switch (lGBT) and one diode for every phase. The
value of resistance R determines the switch voltage and
also the power dissipation. To attain both realistic stress
on the switch (higher resistance R increased), and
suitable fall time of the current (lower resistance R
increased) by changing the value of resistance R. While
the T 1 switch is turned off, the current through diode D,
charging capacitor C, and afterward flows through the
external resistor R. This resistor moderately dissipatesthe energy stored in the magnetized phase [ 1 1], [ 12].
R-dump converter type is shown in Fig. 2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

A.แปลง R-ถ่ายโอนข้อมูลR-ถ่ายโอนข้อมูลเป็นการกำหนดค่าที่มีอย่างใดอย่างหนึ่งหนึ่งสวิตช์ (lGBT) และไดโอดหนึ่งทุกขั้น การค่าของความต้านทาน R กำหนดแรงดันไฟฟ้าสลับ และนอกจากนี้การกระจายพลังงาน บรรลุความเครียดทั้งสมจริงสวิตช์ (เพิ่มความต้านทานสูงขึ้น R), และฤดูใบไม้ร่วงเหมาะเวลาของปัจจุบัน (ต่ำกว่าความต้านทาน Rเพิ่มขึ้น) โดยการเปลี่ยนค่าของความต้านทานในขณะที่ R.T 1 สวิตช์ปิด กระแสผ่านไดโอด Dการชาร์จตัวเก็บประจุ C และหลังจากนั้นไหลผ่านการตัวต้านทานภายนอก r ตัวต้านทานนี้ปานกลาง dissipatesthe พลังงานเก็บไว้ในระยะแม่เหล็ก [1 1], [12]ชนิดการแปลง R-ถ่ายโอนข้อมูลจะแสดงในรูปที่ 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

A. R-การถ่ายโอนข้อมูลแปลง
R-การถ่ายโอนข้อมูลเป็นหนึ่งของการกำหนดค่าที่มี
หนึ่งในสวิทช์ (LGBT) และไดโอดสำหรับทุกขั้นตอน
ค่าของความต้านทาน R กำหนดแรงดันสวิทช์และ
ยังมีการกระจายอำนาจ เพื่อให้บรรลุทั้งความเครียดจริง
สวิทช์ (สูงต้านทาน R เพิ่มขึ้น) และ
เวลาที่เหมาะสมในฤดูใบไม้ร่วงของปัจจุบัน (ต่ำกว่าความต้านทาน R
เพิ่มขึ้น) โดยการเปลี่ยนค่าของความต้านทานอาร์ในขณะที่
สวิทช์ T 1 ถูกปิดปัจจุบันผ่านไดโอด D ,
การชาร์จประจุ C และหลังจากนั้นไหลผ่าน
อาร์ต้านทานภายนอกต้านทานนี้ปานกลางพลังงาน dissipatesthe เก็บไว้ในเฟสแม่เหล็ก [1 1] [12].
R-การถ่ายโอนข้อมูลชนิดแปลงแสดงในรูป 2

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

r-dump แปลง .r-dump เป็นหนึ่งในองค์ประกอบที่มีหนึ่งสลับ ( LGBT ) และไดโอดสำหรับทุกขั้นตอน ที่ค่าความต้านทาน R เป็นตัวสวิตช์แรงดันนอกจากนี้อำนาจการกระจาย เพื่อให้บรรลุทั้งมีเหตุผล ความเครียดสวิทช์ ( สูงกว่าความต้านทาน R เพิ่ม )เวลาฤดูใบไม้ร่วงที่เหมาะสมของปัจจุบัน ( ลดความต้านทาน Rเพิ่มขึ้น ) โดยการเปลี่ยนค่าความต้านทาน R . ในขณะที่T 1 สลับปิด ปัจจุบันผ่านไดโอด Dชาร์จตัวเก็บประจุ C แล้วไหลผ่านตัวต้านทาน R ตัวต้านทานภายนอกนี้พอสมควร dissipatesthe พลังงานที่เก็บไว้ในเฟสแม่เหล็ก [ 1 ] , [ 12 ]แปลงประเภท r-dump จะแสดงในรูปที่ 2