Reflection high-energy electron dif

Reflection high-energy electron diffraction (RHEED) is a widely
used monitoring technique during the molecular-beam-epitaxial
growth processes. The electron beam impinges on the sample
under a grazing incident angle. The obtained reflection-diffraction
intensity of the RHEED pattern oscillates under appropriate
conditions during the growth process. One period of this oscillation
corresponds to the growth of one monolayer. The observed oscillations
during the crystal growth provide a lot of information about
the growth process itself and the grown structures. However, an
easily treatable and still correct description of the RHEED oscillations
is not available, thus lots of information from the RHEED
patterns can be gathered intuitively, and probably more information
could be collected from these images if the model for the
process would be more precise and plausible. In this paper several
approaches for modeling the RHEED oscillations are summarized
and investigated.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การสะท้อนกระจายอิเล็กตรอนพลังงานสูง (RHEED) เป็นแพร่หลายใช้เทคนิคการตรวจสอบระหว่างที่โมเลกุลคาน-epitaxialกระบวนการเจริญเติบโต ลำอิเล็กตรอน impinges บนตัวอย่างภายใต้มุมตกกระทบเป็นทุ่ง การได้รับการสะท้อนกระจายความเข้มของ RHEED รูปแบบ oscillates ภายใต้ความเหมาะสมเงื่อนไขระหว่างการเจริญเติบโต หนึ่งรอบของการสั่นนี้สอดคล้องกับการเติบโตของ monolayer หนึ่ง การสังเกตการแกว่งในระหว่างการเจริญเติบโตของผลึกให้ข้อมูลจำนวนมากเกี่ยวกับกระบวนการเจริญเติบโตของตัวเองและโครงสร้างที่ปลูก อย่างไรก็ตาม การอธิบายแกว่ง RHEED ยังคงถูกต้อง และรักษาได้อย่างง่ายดายไม่มี ดังนั้นข้อมูลมากมายจากการ RHEEDรูปแบบที่สามารถรวบรวมได้อย่างง่ายดาย และอาจจะเพิ่มเติมข้อมูลสามารถเก็บรวบรวมจากภาพเหล่านี้ถ้าแบบจำลองสำหรับการกระบวนการจะแม่นยำมากขึ้น และเป็นไปได้ ในนี้กระดาษหลายจะสรุปเป็นแนวทางสำหรับการสร้างโมเดลแกว่ง RHEEDและสอบสวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สะท้อนพลังงานสูงอิเล็กตรอนเลนส์ (RHEED) เป็นกันอย่างแพร่หลาย
เทคนิคการตรวจสอบการใช้ในระหว่างโมเลกุลคาน epitaxial
กระบวนการเจริญเติบโต ลำแสงอิเล็กตรอนอาจลิดรอนตัวอย่าง
ภายใต้มุมมองเหตุการณ์ที่เกิดขึ้นทุ่งเลี้ยงสัตว์ สะท้อน-เลนส์ที่ได้รับ
ความเข้มของรูปแบบ RHEED oscillates ภายใต้ความเหมาะสม
เงื่อนไขในระหว่างขั้นตอนการเจริญเติบโต ระยะเวลาหนึ่งของการสั่นนี้
สอดคล้องกับการเจริญเติบโตของหนึ่ง monolayer แนบแน่นสังเกต
ระหว่างการเจริญเติบโตคริสตัลให้ข้อมูลจำนวนมากเกี่ยวกับ
กระบวนการการเจริญเติบโตของตัวเองและโครงสร้างการเติบโต อย่างไรก็ตาม
คำอธิบายได้อย่างง่ายดายสามารถเยียวยารักษาและยังคงถูกต้องของการแกว่ง RHEED
ไม่สามารถใช้ได้ดังนั้นจำนวนของข้อมูลจาก RHEED
รูปแบบสามารถรวบรวมสังหรณ์ใจและอาจข้อมูลเพิ่มเติม
สามารถเรียกเก็บจากภาพเหล่านี้ถ้าแบบสำหรับ
กระบวนการจะแม่นยำมากขึ้น และเป็นไปได้ ในบทความนี้หลาย
แนวทางสำหรับการสร้างแบบจำลองการสั่น RHEED มีรายละเอียด
และตรวจสอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สะท้อนเลนส์อิเล็กตรอนพลังงานสูง ( rheed ) เป็นกันอย่างแพร่หลายการใช้เทคนิคในระดับโมเลกุล epitaxial คานกระบวนการเจริญเติบโต อิเล็กตรอนลำแสงกระทบตัวอย่างภายใต้เหตุการณ์เฉียดมุม ค่าการสะท้อนการเลี้ยวเบนความเข้มของ rheed oscillates ภายใต้รูปแบบเหมาะสมเงื่อนไขในกระบวนการเจริญเติบโต หนึ่ง เวลาของคาบนี้สอดคล้องกับการเติบโตของหนึ่งอย่าง . การตรวจสอบการสั่นในผลึกให้ข้อมูลมากมายเกี่ยวกับการเจริญเติบโตกระบวนการเอง และพัฒนาโครงสร้าง อย่างไรก็ตามสามารถรักษาและยังแก้ไขรายละเอียดของ rheed การสั่นไม่สามารถใช้ได้ ดังนั้น ข้อมูลมากมายจาก rheedรูปแบบสามารถรวบรวมสังหรณ์ใจ , ข้อมูลและอาจจะมากขึ้นจะถูกรวบรวมจากภาพพวกนี้ถ้ารูปแบบสำหรับกระบวนการจะแม่นกว่าและเป็นไปได้ ในกระดาษนี้หลาย ๆแนวทางการสร้าง rheed การสั่นสรุปได้และการตรวจสอบ