Porous thin films comprised of ITO

Porous thin films comprised of ITO nanoparticles were prepared using aspin-coating method followed by annealing and reported to have electrical resistivities in the order of 10−2 cm

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบาง porous ที่ประกอบด้วยการเก็บกักอิโตะถูกเตรียมโดยใช้วิธีการเคลือบ aspin ตาม ด้วยการอบเหนียว และรายงานให้ไฟฟ้า resistivities กับ 10−2 ซม.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางที่มีรูพรุนประกอบด้วยอนุภาคนาโน ITO ได้จัดทำขึ้นโดยใช้วิธีการ Aspin เคลือบตามด้วยการอบและการรายงานว่าจะมีความต้านทานไฟฟ้าในคำสั่งของ 2/10 หรือไม่ ซม.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัสดุฟิล์มบาง ITO ประกอบด้วยอนุภาคนาโนที่เตรียมโดยใช้วิธีตามด้วยการอบชุบแอ็สปิ้น และรายงานว่ามีไฟฟ้า resistivities ในลำดับที่ 10 − 2  ซม.