1. IntroductionTungsten disulfide i

1. Introduction
Tungsten disulfide is a layered transition metal dichalcogenide (TMD) semiconductor that has long been studied for electronics and lubrication catalysis Novel electronic properties that arise as these materials thin to a single or a few layers thick make them particularly attractive for application in next-generation electronics, photonics, and optoelectronics MoS2 and WS2 are similar: they both exhibit a trigonal prismatic structure, are van der Waals layered solids, and have an indirect bandgap in the bulk that becomes a direct bandgap in monolayer films While many of the properties of WS2 and MoS2 are very similar, a few key differences are emerging. The photoluminescence intensity of the edges of monolayer WS2 is 20 times higher than that from monolayer MoS2 and monolayer WS2 MOSFETs have higher theoretical ballistic performance than MoX2 (X = S, Se, and Te) [13]. Besides, the Fermi-level pining of WS2 is close to the middle of the bandgap, making it desirable for ambipolar conduction in field effect transistors (FETs) [8] and [14].

For electronic applications, the interactions between TMDs and transition metals are of great importance because contact metallurgy for TMDs influences the performance of electronic devices. Recent investigation by Hwang et al. [14] showed that Ti/Au contacts to few-layer WS2 exhibit Schottky behavior, which made extraction of device parameters more challenging; historically, Ag paint/epoxy and a Ga–In eutectic were reported to be Ohmic contacts to bulk WS2[15]. This paper expands upon our earlier work predicting and discussing transition metal (M)–MoS2 interactions and M–Mo–S ternary phase diagrams, as described in Domask et al. [16]. Using a similar approach, we studied the M–W–S systems, where M is a metal from group 4 to group 13, and we draw comparisons between the interaction of metals with MoS2 and WS2. Although there could be some differences in the phase equilibria for nanoscale materials, the bulk phase diagrams we have calculated and compiled can still inform future research on contacts to single and few-layer WS2.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

1. บทนำทังสเตนซัลไฟด์เป็นสารกึ่งตัวนำใน dichalcogenide (กรมอุตุฯ) โลหะทรานซิชันชั้นในที่ยาวนานได้รับการศึกษาสำหรับอิเล็กทรอนิกส์และหล่อลื่นเร่งปฏิกิริยานวนิยายอิเล็กทรอนิกส์คุณสมบัติที่เกิดขึ้นกับวัสดุเหล่านี้บางไปเดียว หรือกี่ชั้นหนาทำให้น่าสนใจโดยเฉพาะอย่างยิ่งสำหรับโปรแกรมประยุกต์ในยุคอิเล็กทรอนิกส์ เลเซอร์ และปโต MoS2 และ WS2 คล้าย: พวกเขาทั้งสองแสดงโครงสร้างเดอะวัน trigonal , van der Waals ชั้นของแข็ง และมี bandgap ทางอ้อมเป็นจำนวนมากที่กลายเป็นมี bandgap ตรงใน monolayer ภาพยนตร์ในขณะที่คุณสมบัติของ WS2 และ MoS2 มีความคล้ายคลึง ความแตกต่างที่สำคัญบางอย่างเกิดขึ้นใหม่ ความเข้มของขอบของ monolayer WS2 เป็นมากกว่า 20 เท่าที่จาก monolayer MoS2 และ monolayer WS2 MOSFETs มีประสิทธิภาพขีปนาวุธทางทฤษฎีสูงกว่า MoX2 photoluminescence (X = S, Se และ Te) [13] ระดับพลังงานแฟร์มี pining ของ WS2 อยู่ใกล้กับตรงกลางของ bandgap ทำให้เป็นที่ต้องการนำ ambipolar ในฟิลด์ผลทรานซิสเตอร์ (FETs) [8] และ [14]สำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ ปฏิกิริยาระหว่าง TMDs และโลหะทรานซิชันมีความสำคัญมากเนื่องจากโลหะติดต่อสำหรับ TMDs มีอิทธิพลต่อประสิทธิภาพของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ ล่าสืบสวนโดยฮวง et al. [14] แสดงให้เห็นว่า Ti/Au ติดต่อไปบางเลเยอร์ WS2 ลักษณะ Schottky ซึ่งทำให้การสกัดพารามิเตอร์อุปกรณ์ท้าทายมาก ประวัติ Ag สี/อีพ็อกซี่และ Ga ในวัตถูกรายงานเป็น เขี้ยวติดต่อจำนวนมาก WS2 [15] กระดาษนี้ขยายเมื่องานก่อนหน้าการทำนาย และการอภิปรายการเปลี่ยนโลหะ (M) – MoS2 โต้และ M – Mo – S ฐานสามเฟสไดอะแกรม ตามที่อธิบายไว้ใน Domask et al. [16] เราใช้วิธีการคล้ายกัน ศึกษาระบบ M – W – S ที่ M เป็นโลหะจากกลุ่ม 4 กลุ่ม 13 และเราวาดเปรียบเทียบระหว่างการโต้ตอบของโลหะกับ MoS2 WS2 แม้ว่าอาจมีความแตกต่างใน equilibria เฟสสำหรับวัสดุ nanoscale ไดอะแกรมขั้นตอนจำนวนมากเรามีคำนวณ และรวบรวมยังสามารถแจ้งให้ทราบในอนาคตงานวิจัยเกี่ยวกับผู้ติดต่อ WS2 เดี่ยว และบางชั้น

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

1. บทนำ
ทังสเตนซัลไฟด์เป็น dichalcogenide ชั้นโลหะทราน (TMD) เซมิคอนดักเตอร์ที่ได้รับการศึกษานานสำหรับอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์และสมบัติทางอิเล็กทรอนิกส์หล่อลื่นเร่งปฏิกิริยาใหม่ที่เกิดขึ้นเป็นวัสดุเหล่านี้บางคนเดียวหรือไม่กี่ชั้นหนาทำให้พวกเขาโดยเฉพาะอย่างยิ่งที่น่าสนใจสำหรับการประยุกต์ใช้ในครั้งต่อไป -generation อิเล็กทรอนิกส์เล็คทรอนิคส์และออปโตอิเล็กทรอนิกส์ MoS2 และ WS2 มีความคล้ายคลึง: พวกเขาทั้งสองจัดแสดงโครงสร้างแท่งปริซึมสามเหลี่ยมเป็นแวนเดอร์ Waals ชั้นของแข็งและมี bandgap ทางอ้อมในกลุ่มที่จะกลายเป็น bandgap โดยตรงในภาพยนตร์ monolayer ในขณะที่หลายคุณสมบัติ ของ WS2 และ MoS2 จะคล้ายกันมากแตกต่างที่สำคัญบางประการที่เกิดขึ้นใหม่ ความเข้มของ photoluminescence ขอบของ monolayer WS2 เป็น 20 เท่าสูงกว่านั้นจาก MoS2 monolayer และ monolayer WS2 MOSFETs มีประสิทธิภาพสูงกว่าทฤษฎีขีปนาวุธกว่า MoX2 (X = S, Se และ Te) [13] นอกจากนี้ pining แฟร์ระดับ WS2 อยู่ใกล้กับตรงกลางของ bandgap ที่ทำให้มันเป็นที่พึงประสงค์สำหรับการนำ ambipolar ในทรานซิสเตอร์สนามผล (FETs) [8] และ [14].

สำหรับการใช้งานอิเล็กทรอนิกส์ปฏิสัมพันธ์ระหว่าง TMDs และโลหะการเปลี่ยนแปลง มีความสำคัญมากเพราะการติดต่อโลหะผสมสำหรับ TMDs มีผลต่อประสิทธิภาพของอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์ การสอบสวนที่ผ่านมาโดยฮวง et al, [14] แสดงให้เห็นว่ารายชื่อ Ti / Au ไปไม่กี่ชั้น WS2 จัดแสดงพฤติกรรมกีซึ่งทำให้การสกัดของพารามิเตอร์อุปกรณ์ที่ท้าทายมากขึ้น; อดีต Ag สี / อีพ็อกซี่และกาอินยูเทคติกที่ได้รับรายงานว่าจะเป็นรายชื่อโอห์มมิคเพื่อ WS2 กลุ่ม [15] กระดาษนี้จะขยายตัวตามการทำงานก่อนหน้านี้เราคาดการณ์และการหารือโลหะทราน (M) -MoS2 ปฏิสัมพันธ์และ M-Mo-S เฟสไดอะแกรม ternary ที่อธิบายไว้ใน Domask et al, [16] โดยใช้วิธีการที่คล้ายกันเราศึกษาระบบ M-W-S, M ที่เป็นโลหะจากกลุ่ม 4 กลุ่ม 13 และเราวาดเปรียบเทียบระหว่างการทำงานร่วมกันของโลหะมี MoS2 และ WS2 แม้ว่าอาจจะมีความแตกต่างบางอย่างในเฟสสมดุลสำหรับวัสดุนาโนที่เฟสไดอะแกรมกลุ่มเราได้คำนวณและเรียบเรียงยังสามารถแจ้งการวิจัยในอนาคตเกี่ยวกับรายชื่อเดียวและไม่กี่ชั้น WS2