Moss-Burstein shift:- The effect ha

Moss-Burstein shift:- The effect happens in semiconductors. If you nominally dope the semiconductor (say n-type), the Fermi level lies below the conduction band edge and above the occupied donor states. If you increase the doping more and more, and when you reach a degenerate level of doping, Fermi level moves in to the conduction band. The effect becomes more when you increase the donor concentration more. Now, if you try to measure the band gap by absorption measurement, an electron at the top of the valence band can only be excited to a state above the Fermi level (which now lies in the conduction band) because all the states below the Fermi level are occupied donor states. You cannot excite electrons into the occupied states as Pauli's exclusion principle forbids it. Thus what you will observe is increased band gap. ie.,

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กะมอ Burstein: -ผลที่เกิดขึ้นในสารกึ่งตัวนำ ถ้าคุณนามยาเสพติดในสารกึ่งตัวนำ (พูด n ชนิด), ระดับพลังงานแฟร์มีอยู่ด้าน ล่างขอบวงนำ และ เหนือรัฐครอบครองผู้บริจาค ถ้าคุณเพิ่มเติมมากขึ้น และ เมื่อถึงระดับ degenerate โดปปิงค์ ระดับพลังงานแฟร์มีย้ายในการนำวงดนตรี ผลจะมากขึ้นเมื่อคุณเพิ่มความเข้มข้นผู้บริจาคเพิ่มเติม ตอนนี้ ถ้าคุณพยายามที่จะวัดช่องว่างวง โดยวัดการดูดซึม อิเล็กตรอนที่ด้านบนของแถบวาเลนซ์สามารถเท่าจะตื่นเต้นไปยังสถานะที่เหนือระดับพลังงานแฟร์มี (ซึ่งขณะนี้ อยู่ในวงการนำ) เนื่องจากอเมริกาทั้งหมดด้านล่างระดับพลังงานแฟร์มี อเมริกายึดครองบริจาค คุณไม่สามารถกระตุ้นอิเล็กตรอนเข้ายึดครองรัฐ ตามหลักการนิห้ามมัน ดังนั้น สิ่งที่คุณจะสังเกตเห็นเป็นช่องว่างวงเพิ่มขึ้น ie.,

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กะมอสเบอร์สไตน์: - ผลกระทบที่เกิดขึ้นในเซมิคอนดักเตอร์ หากคุณนามยาเสพติดเซมิคอนดักเตอร์ (พูดชนิดเอ็น) แฟร์ระดับอยู่ใต้ขอบการนำวงดนตรีและเหนือรัฐบริจาคครอบครอง ถ้าคุณเพิ่มยาสลบมากขึ้นและมากขึ้นและเมื่อคุณมาถึงระดับเลวของยาสลบแฟร์ย้ายระดับในการนำวงดนตรี ผลจะกลายเป็นมากขึ้นเมื่อคุณเพิ่มความเข้มข้นของผู้บริจาคมากขึ้น ตอนนี้ถ้าคุณพยายามที่จะวัดช่องว่างวงโดยการวัดการดูดซึมอิเล็กตรอนที่ด้านบนของวงจุเท่านั้นที่สามารถรู้สึกตื่นเต้นที่จะรัฐเหนือระดับ Fermi (ซึ่งขณะนี้อยู่ในการนำวงดนตรี) เพราะทุกรัฐดังต่อไปนี้แฟร์ ระดับรัฐมีการครอบครองของผู้บริจาค คุณไม่สามารถกระตุ้นอิเล็กตรอนเป็นรัฐครอบครองเป็นหลักการกีดกันของเพาลีห้ามมัน ช่องว่างวงดังนั้นสิ่งที่คุณจะสังเกตจะเพิ่มขึ้น IE.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มอสกะเบอร์สไตน์ : - ผลที่เกิดขึ้นในสารกึ่งตัวนำ ถ้าคุณในนามโด๊ปสารกึ่งตัวนำ ( พูดทั่วไป ) ระดับเฟอร์มิอยู่ด้านล่างขอบนำวงดนตรี ขึ้นไปครอบครองผู้บริจาคสหรัฐอเมริกา ถ้าคุณเพิ่มเติมมากขึ้น และเมื่อคุณไปถึงระดับของการการเติมแฟร์ระดับการเคลื่อนไหวในการนำวงดนตรี . ผลจะมากขึ้นเมื่อคุณเพิ่มความเข้มข้นผู้บริจาคเพิ่มเติม ตอนนี้ถ้าคุณพยายามที่จะวัดค่าช่องว่างแถบ โดยการวัดการดูดซึม อิเล็กตรอนที่ด้านบนของวาเลนซ์แบนด์สามารถตื่นเต้นที่สภาวะเหนือระดับเฟอร์มิ ( ซึ่งตอนนี้อยู่ในนำวงดนตรี ) เพราะรัฐด้านล่างระดับเฟอร์มินครอบครองผู้บริจาคสหรัฐอเมริกา คุณไม่สามารถกระตุ้นอิเล็กตรอนในครอบครองรัฐเป็นเป๋ไป๋ห้ามเอาไว้ ดังนั้นสิ่งที่คุณจะสังเกตได้มากขึ้น คือ วงดนตรีที่ช่องว่าง .